一架晶体管

晶体管输入电阻指的是基射极间的交流电阻,是输入交流电压与交流电流之比.晶体管偏置电流大或耗散功率大的管子输入电阻小；一般低频管的输入电阻在几十欧到几千欧之间.

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路.用电流、电压的交流分量来表示.即：其中Ib、Ube为晶体管的输入变量,面Ic、Uce为输出变量.方程中的四个系数hie

应该是晶体管的最大耗散功率.BJT的输出交流功率与其耗散功率成正比,要求耗散功率越大越好.晶体管功率的耗散(消耗)即发热,如果此热量不能及时散发掉,则将使集电结的结温Tj升高,这就限制了输出交流功率的

1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a

电流和电量、时间的关系是：q=It单位关系是库仑=安培×秒q=0.4×20C=8C

用晶体管做成放大电路,测试经过放大电路后的信号在高低温度变化其信号的变化,变化量越小则热稳定性越好.

说具体点噻,如果是指型号那就太复杂了,国产的跟国外产的有不同,日本跟美国的又不同,太复杂了,除非查专业手册,不是一下两下说得清的.大致介绍下国产的一般命名规则如下第一部分:数字表示电极数目//第二部分

晶体管分很多种,有二极管,三极管,可控硅,等等.晶体管应用十分广泛,几乎厂家生产的每块电路板都能找到晶体管,作用实在是太多了,你要是问我什么电路里的晶体管有什么作用,这我好回答!就像你后面问的晶体管放

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

晶体管Ie的电流与Ic的电流与基极电流和晶体管电流放大倍数β有关.晶体管工作在放大状态时Ic=Ibβ,Ie=Ib(1+β)再问：我问的是为什么Ie的改变与Ic的变化相同再答：上面公式不是已经说明问题了

当晶体管工作在放大区时,集电极电阻和电源电压的变化不会引起集电极电流的明显变化（只要这两个参数的变化不致于使晶体管的工作状态离开放大区）.

电路的电压放大少不了它.

PNP型三极管与NPN型三极管区别2个PN结的方向不一致.PNP是共阴极,即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发射极.NPN则相反.

可以设计,要用恒流源或近似恒流的电流源提供基极电流,集电极用电阻对Ic取样,比如Ib=1mA,集电极电阻用100欧,如果β=100,这个电阻上就有10V压降,再利用LM393之类的比较器两只挑出对应β

晶体管晶体管（transistor计：MOStransistor;npn化：transistor）【简介】晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信

这个公式是30W/220V=电流/一小时再除以10mA,就是收音机工作的时长.

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二极管的输入特性曲线,即基极电流Ib和基极发射极之间电压Vbe的关系,当晶体管特性相同时,Vbe相同时,Ib相同,Ib相同,又有Hfe相同,所以Ic相同.静态分析时,本书的要点是经验发射极电流1毫安,

它具有把所收电波加以区分的检波功能和增强微弱电波的放大功能.初期,这两种功能几乎都是由真空管来完成的.

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.