三极管β=50饱和压降uces=0 3v求在下列情况下

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

Ic＜βIb,这就是三极管饱和的条件.

你很细心,确实你所看的教科书上说的不够准确,对于NPN三极管来说,Ube只要小于发射结的初始导通电压（对于硅管是0.5V~0.6V,对于锗管是0.2V）三极管就会处于截止区,这时候Ubc0.3V时,处

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

1,对于NPN三极管,是基极,和集电极流入电流,发射机流出,所以Ib+Ic=Ie2,对于PNP则反之,发射机流入,基极和集电极流出所以Ie=Ib+Ic处于放大区（不好意思,把放大倍数30倍,看成50倍

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

基极电流=-50mA,集极电流=-500mA时,集、射极跑和电压不会高于-0.5V

问什么呢?现在看此电路不能正常放大,做整形或波形变换还可以.再问：试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？再答：当uI＝0V时uO＝-5v。当uI＝－5V时uO＝-0.1V.因为T饱和了。

模拟电子电路题Ube=0.6贝塔=501.欲使三极管截至,Rb应为多大?2.若Rb=300千欧姆欲使三极管饱和Rc多大1、分析：由所给电路图可知,应该是一个采用固定偏置的放大电路,而不是一个开关电路,

6-0.3=5.7选B再问：不过为啥答案是2V呢？再答：题目缺个条件----电源电压，所以按通常情况（静态工作点为1/2电源电压）估算来选B。电源电压低于12V则A、B、C都不符合要求，只能选D。再问

设发射极电位为u,则有(12-0.7-U)*101/500000=U/1000,解得U=1.899,可得IE=0.001899A,所以集电极电阻上压降约为3000*0.001899=5.7V,所以集电

电容电压是10V,输出功率8W再问：怎么算的再答：OTL电路输出电容的电压就是电源电压的一半，然后功率P=[(Vcc-2Uces)/2]∧2/RL

错!是饱和后导通电流就不再随输入电流的增加而增加了,在这之前也是导通的,但导通电流是随输入电流的增加而增加的,基本符合y=kx的曲线特征,所以近似的称为线性放大区,在线性放大区之下由于门坎电压的原因管

这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助

ICM是三极管的极限参数,意思是集电极可以承受的最大电流.Vcc/RL是实际电路中可能出现的最大电流,当然ICM要大于Vcc/RL.

三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降是0.7V

饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.