三极管不通时候ube是0.7
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/19 22:18:11
其实Ube是会变化的,但是变化量非常的小,Ib的电流变化也非常的小,为了简化分析,故认为Ube不变,但是尽管Ib变化很小,但由于三极管处于放大区,从而导致集电极有较大的变化电流,Uce也会跟着变化.再
标注的电压,一般是对地(参考点)电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE
Ui=0.3 Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v 2.Ui=1 Ube
Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简
计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=
温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每
先回答你的题目:做题目过程中,为了简化,一般假设这个值恒定为0.7V.实际上不是,随着BE电流增大(其实也就是基极电流Ib)UBE的电压也会适当增加,但偏差不大.(下面以国内最经典的模电书,童诗白的那
因为在三极管输出回路有一个关系式:VCC=UCE+ICRC.不是你说的UBE=VCC,是UCE=VCC.
放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!
分析了一下,iie2010说的确实有道理,你参考模电,自己分析一下就知道了
请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问:谢谢啊!可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢??再答
根据你提供的参数可以判断出这是一只硅型三极管,如果用万用表的正极连接三极管的基极,那么根据数据分析是硅NPN三极管.如果用万用表的负极连接三极管的基极,那么应该是一只硅PNP三极管.
Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区
温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.(1)对β的影响:三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1%,其结果是在相同的
1、Ic=(10-0.7)/3=3.1mA,Au=-60*1500/(300+61*26/3.1)=111,rbe=811Ω,Ro=1.5KΩ.2、Ub=4V,Ic=3.4/2=1.7mA,rbe=3
1、(锗管)饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值(管子的电流放大倍数)没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.
在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……
根据题中信息,可得:IB=(Vcc-UBE)/Rb=11.3V/377kΩ≈0.03mA,则IC=50*IB=1.5mA,得UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-1.5*6=3V>饱和电压,所以管子工
Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和
温度升高,β、ICBO增加,Ube减小