为什么用三极管驱动mos管

讲解这个很费功夫,我上次仔细讲解了一个,花了很多时间,后来他忘了关闭问题,结果,悬赏的100分,被另一网友投票拿走了.（拿到100分的“知友”仅仅提供了一灌水答案“OK”）再问：谢谢，不过你等于没讲，

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

是一上电就炸还是老化的时候炸?这个要知道了才可以分析,我是专业设计生产LED驱动电源的厂家,有什么问题可以随时交流.再问：谢谢.是在老化时炸,,冲的时候把限流电阻炸了再答：冲的时候把限流电阻炸了？不太

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵.三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

mos管叫场效应管,mos管和三极管不能直接代换,因它们的工作机理不一样.mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件.再问：请问照你这样说，mos管就是有电压才放大电路？三极管就是有电流才能放大电路

从技术上看没有任何问题,但是没有必要采用分离元件自己搭建电路,用一个Pwm芯片推动很是方便,例如UC3843,就是为驱动MOS管设计的.再问：这是UC3909电路图外面的部分电路，只是没有具体的元器件

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

1.Q5为NMOS管,R12为限流电阻（或是偏置电阻）,源漏之间的二极管为保护二极管.2.源极接地,电压为0,当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时,就可在源漏之间形成

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

——★1、三极管为电流控制元件,而mos管属于电压控制元件,驱动功率极低.——★2、三极管导通时,受PN结的限制,电压降约为0.035V,而mos管属于电阻性器件,导通时的电阻可以低到零点几欧,性能明

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8,过驱动电压为Vgs减Vth

怎么说吧,这个有静态和动态两种,要画图的,我也好久都不弄这些了.三极管就是输入是一个电阻穿一个电压源模拟be级的压降,这个电阻就是三极管的内阻.输出就是一个受控的恒流源～mos有很多种了,不知道你是哪

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

mos管驱动电阻烧了,说明这个管子已经击穿损坏了（管子正常的话这个驱动电阻是不可能烧的,mos管是电压驱动型器件）,再通电的话就可能会炸.再问：不是的，我后好直接把管子的删极电阻去掉，一加310DC电

CMOS电路组成是以PMOS管作为驱动管,以NMOS管作为负载管.CMOS电路指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MO

管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻看看.