为什么高频旁路电容器选择小电容

电容容量越大通过的频率越高容抗越小；高频电容多为小容量,这不是一个概念.高频电容,是指一个电容器的高频特性非常好,这要从电容器的设计和结构上下功夫.有些电容器,比如铝电解电容器,在较低频率下工作,它是

当把正弦电压u=Umsinωt加到电容器时,由于电压随时间变化,电容器极板上的电量也随着变化.这样在电容器电路中就有电荷移动.如果在dt时间内,电容器极板上的电荷变化dq,电路中就要有db的电荷移动,

电容有储存电荷的作用,电容越大,能储存的电荷就越多.交变电流想必你也能理它的方向是变化的.打个比方：你要做生意,也能找到客户,就是没本钱,怎么办?找人借.生意成了再还.这样一借一还,就形成了资金流转.

理论上电容越大阻抗越小,频率越高越容易通过.理论是没错,（低频通不过小电容）--不是绝对通不过只是阻抗较大不容易通过(高频能不过大电容)理论上大电容高频更容易通过,只不过由于大电容制造工艺所限,一般都

容抗等于1//2派F*容量,所以,同阻抗下,频率越高,容量可以越小.另外就是对脉冲电路中,因为电容是充电后保持电压缓慢放电,负载电流越大,容量就要越大,经验是,音频信号耦合是在1U以下,高频调制在1n

高频旁路电容器的作用是滤掉高频电流,也就是让高频电流容易通过!如果电容很大,不但由于容量大的电容由于有分布电感,阻碍高频电流通过,还会滤掉低频电流,所以高频电容器一般都较小,对低频而言,高频电容器的容

电容的特性是正半周时充电,负半周时放电,高频信号频率较高,它会在负半周时没等电压放完,正半周又到来开始充电.电容容量过大,将在电容上聚集很高的电压或杂波,根本滤不下去,将传到后级形成干扰.所以只有小容

所谓的旁路就是给交流信号提供另外一条通路,如果你是串联入电路中,那主通路中的直流信号就被你截断了,很有可能无法实现电路本身应有功能.电源电路就是一个很好的例子,本来稳压器出来的信号主要是直流,还有一部

容抗=1/（jwc）=1/（j2πfc）,高频电流f很大,所以容抗接近于0,电流当然从总阻抗较小的地方走.而低频电流由于电容的相对容抗大,就相当于断路了.如果旁路既有阻抗又有容抗的话,我认为高频电流旁

高频旁路电容的电容量较小,根据容抗的计算公式：Xc=1/2πfc可知,它对低频交流电阻碍作用大,而对高频交流电阻碍作用小.所以他的特性是----通高频,阻低频.再问：我不需要教科书上答案、没有回答到点

根据信号的频率来选择.我们知道,电容越大,储能越大,可他的时间参数也就越大,在低频放大电路中,耦合电容同时还要考虑到一个“信号耦合量”的问题,即通过电容的交流信号的“流量”,所以一般都选择的比较大,但

你都把公式写出来了.公式是对的.你的问题是不是把别人的表述理解错了?一般的表述是：对高频信号,用小容量的电容就可以得到小的容抗；对低频信号,要用大的电容量才能得到小的容抗；对吧.

因为容抗Xc＝1/2*3.14*f*C式中f很高（数字很大）无论电容为何值,Xc都接近于零,所以有小电容就足够了.

是越小,电容器对交流电的阻碍作用,用容抗表示为Xc=1/2πfCf为交流电频率,C为电容容量.相同频率f时,电容C越大,容抗Xc越小,对交流电的阻碍程度越小.不妨这样理电容容量越大,充电的速度越慢,越

因为电容中,介质内部的（原子核最外层）电子,在平衡位置就像悠秋千似的.频率越高,作用在电子的时间越短,这样只要有一点（一点）能量,就会像秋千一样的使电子产生往返运动.而频率越低,作用在电子的时间越长,

电容越小,通过的频率越高.电容越大,通过的频率越低.最后到直流就不能通过了.电容可以看做是两个不接触的金属平板,用欧姆表测量,电阻是无穷大的.所以不通直流电.两端加直流电,金属板会分别聚集正电荷与负电

你所说的电阻和电容都接地了,应该是共发射极放大电路中接在发射极的电阻和电容,电阻为直流负反馈电阻,起稳定直流工作点的作用；电容为交流旁路电容,给被放大的交流信号提供通路,保证交流放大量,防止交流信号在

所谓得旁,就是在电路的旁边加个电容器

这里说的是理想状况,电容只是对高频交流电的阻抗很小,而后级电路是要接电阻较高的负载,所以高频电流基本流不到后级电路了,有的话也会很小的.

为了防止高频干扰而在元件两端并联的小电容.高频的干扰信号就从这个小电容通过了,不用经过元件.比如小孩子玩的遥控车的电动机两端就有.不是交流电不走和它并联的导线,是高频的干扰信号不走和它并联的元件.注意