二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高,反向击穿电压

工作电压和反向电压是两个不同的参数指标

普通二极管不允许反向击穿,或者说反向击穿后就损坏了.而稳压二极管允许反向击穿,并允许在击穿的情况下流过一定量的电流.此外,当它承受的反向电压降低到一定程度时,稳压二极管还可以自动恢复到截止状态.由于有

二极管的反向电压大小由漏电流大小来决定而正向的特性又取决於通过正向电流的大小而变化

材质上没有变化,二极管依然是半导体材料反向短路是因为雪崩击穿造成的,这时的大电流会导致结温迅速上升,不加以限流的话器件将烧毁（结温达到硅熔点温度1688K）这时二极管就不能工作了,温度下降硅会再结晶,

最大连续正向导通电流3A瞬间峰值电流（单次）200A反向耐压1000V最大反向漏电流10μA（25℃下）结电容（典型值）30pF反向恢复时间在数据手册里没有,但是上述的一些参数（正向电流、反向漏电）都

选A,外加电压大于VRRM,二极管被击穿正反都导通了

所有的整流二极管的反向击穿电压都高于5V,肖特基二极管常见型号的反向击穿电压一般为20-200V.选取器件时要看电路的峰值电压值来选取二极管的反向击穿电压（耐压）,一般来讲,耐压越高的二极管的正向压降

这个你看一下对应的管子的伏安曲线就可以了.一般的分为电击穿和热击穿,前者可以恢复,特性和伏安曲线相图,后者就烧坏了.具体的型号,它的特征看它的曲线比较准确!再问：再问：再答：二极管加反向电压时，在起始

反向饱和电流：在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化,而此时反向电流恒定.

6A10:耐压:35V；电流：6A；反向击穿电压：50V.资料为pdfIN5408：耐压:700V；电流：3A；反向击穿电压：1000V

不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的B

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C,反向电流约增大一倍.

稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件.稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路中起稳定电压作用.它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变

阁下算问对人了,因为反向电流是由少数载流子构成的,而“少子”很容易从外界获得能量而活跃起来,使反向电阻剧变,故其反向电流会随温度变化.

一般二极管的反向击穿电压叫做反向不重复峰值电压,它一般是反向重复峰值电压的1.2倍,最高反向工作电压一般是反向重复峰值电压的0.7倍.反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为87.5V.

会,光照影响PN的少数载流子数目,对电流有影响,那么对电压亦有影响.我认为.再问：我认为这个只是表面，并不是雪崩击穿的机制。因为它并不改变击穿时的离化率。

打个比喻,有个门只许出不许进,人潮汹涌的往外出,突然逆着行人来了一拨壮汉一下把门踹掉了,从此这个门双向都可以过人了.这就叫反向击穿.

稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件.稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路中起稳定电压作用.它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变

稳压管有功率大小之分,0,1w0,5w1w,等,工作电流超过额定电流的时候,管子就会彻底击穿而损坏,在它的额定功率【允许工作电流】内,即增加电压而不增加电流的情况下,管子可以稳压,最小稳定电流的作用就

二极管是由半导体材料制成的,带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上,在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动),