位错

在电镜下观察,1、数单位面积里的位错露头数目（即单位面积的为错露头数）2、在电镜照片上画一条线,然后数与这条线相交的位错有多少3、还可以画几条线,数完后取平均（即单位长度上的为错数）

既然没有说明,那就是都可以,不过一般保留到小数点两位就可以了

位错就是晶体中的线缺陷,（即原子排列的一种错排）.他可以分为刃位错,螺位错和混合型位错!1、什么是位错位错是晶体中最为常见的缺陷之一,它对晶体材料的各种性质都有程度不同的影响,很早就被人们关注和研究,

+99+9+89+可以用Cottrell气团解释,首次加载时,位错挣脱气团的钉扎,当卸载后立即重新加载不出现屈服点,但卸载后放置较长时间或经时效,则又形成气团,屈服现象又复现-876

既然位错反应条件你知道,想必你能轻松证得位错反应是能进行的.关于新位错能否在滑移面上运动,主要是确定最终所得的位错和滑移面能否形成滑移系.滑移系是由最密排面和最密排方向所组成的.显然[1-11]不是面

属于晶体的线缺陷.

晶体缺陷会对物理化学性能产生很大影响,半导体晶体缺陷会影响半导体器件制造工艺和器件的性能及成品率.缺陷大体分3类：点缺陷（空位、间隙原子、杂质原子）线缺陷（位错、位错排）面缺陷（小角度晶界、层错）

螺型位错：位错附近的原子是按螺旋形排列的.螺型位错的位错线与滑移矢量平行,因此一定是直线螺型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向垂直；对螺型位错,如果在原滑移面上运动受阻时,有可能转移到与之相交的另

形成弗兰克不全位错,是纯刃型的位错；肖克利不全位错是面心立方晶体沿着（111）晶面上的特定晶向滑移一定距离所形成的,肖克利不全位错本身就是混合位错,比如本来是A层原子面,沿着1/6滑移到了原本是B层原

失配位错misfitdisloeations若一对晶体其取向相同,但晶格常数稍有不同,被置于完全的接触时,则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置,这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位,或

位错密度的测量是个难题,传统的方法是采用金相法,通过观察位错露头的个数,计算位错密度.高分辨电镜是个办法,也是很多人用的办法,但是做过相关研究的人都会知道该方法的固有缺陷.1.好的高分辨电镜晶格花样不

可能啊!和柏氏矢量垂直的是刃型位错,平行的是螺型位错,在位错环中一定有两点和柏氏矢量垂直,有两点和柏氏矢量平行.其他地方和柏氏矢量既不平行也不垂直的是混合位错.这些是最基础的问题啊!书上都有的!没好好

位错可定义为伯格斯矢量不为零的晶体缺陷,它具有连续性,不能中断于晶体内部.其存在形态可形成一个闭合的位错环,或连接于其他位错,或终止在晶界,或露头于晶体表面.

计数单位不能有“位”字什么万位,十万位是指数所占的位置.

用反证法哦!假设晶体位错终止与晶体内部我们知道位错的性质之一就是他的位错矢量为一定值.如果晶体结束于晶体内部,可以想像一下,在位错尖端的柏氏矢量将变成0.这是否与其性质相矛盾呢?由这里就可以推断出柏氏

柏氏矢量与位错线垂直是（刃）位错

首先,金属材料的强度与位错在材料受到外力的情况下如何运动有很大的关系.如果位错运动受到的阻碍较小,则材料强度就会较高.实际材料在发生塑性变形时,位错的运动是比较复杂的,位错之间相互反应、位错受到阻碍不

位错宽度越宽,位错在运动过程中与现有位错发生交割,攀移等得可能性越大,位错越不易移动

金属材料中位错,记不清了,少量位错好像会增加硬度屈服强度,比如加工硬化.位错积聚会造出缺陷,断裂.

位错密度的数量级我不清楚了,但是其强度和位错密度的关系差不多是个U型字母,既开始随着位错密度增大,金属强度是降低的,在退火状态位错密度是金属强度最低的时候,之后随着位错密度增加,强度增加,这里就比如说