半导体NPN管中集电极的电压是否比发射集要高

三极管集电极串电阻,集电极电压是降低了,放大是指输出端与输入端的变化量而言,如基极电流变动1mA,集电极电流变动成100mA,放大倍数100,这时集电极电阻两端电压也出现响应变动量,这便是放大电流成电

三极管工作在线性放大区.所以输入端的音频信号会引起集电极电流变化,因为RC的隔离作用,集电极电位也随之变化,C2充放电相当于流过电流.再问：所以还是C2的电压变化导致产生了多余电流，然后电流充当放大的

如果没有输入信号,仅仅有基极偏压,那当然没有交流份量.当基极有变化的输入信号时,这个变化的输入信号叠加在基极偏压上,使得实际的偏压大小跟随信号变化,因而集电极电流也随之变化.实际上,这里的“交流”不能

根据相关公式自己推导一下吧,在这里很多东西都输入不上来的.看看参考资料吧.

工作在放大状态的晶体管,C极电位高于E极电位,是NPN管,反之则是PNP管.在正电源供电情况下,NPN管的E极最接近地电位,而PNP管的C极最接近地电位.

发射结正向电压即正向偏置,集点结反向电压即反向偏置

答：1）三极管工作在放大状态；（此时发射结Ube=0.7V正偏,Ubc=-2.3V反偏,所以符合放大状态判定条件）2）工作在截止状态；（此时Ube=0.4V虽然正偏但是没有越过0.7V的门槛电压,所以

pnp型:E接+B接-C接-npn型:E接-B接+C接+而般电路中三极管共发射极接法的多,所以集电极C接负电源就说明是pnp管,这些都是电子技术中基础中的基础,还要努力啊.

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

NPN型管集电极接负极,发射极接正极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为正.硅管约0.6v,锗管约0.2vPNP型管集电极接正极,发射极接负极,电压要大于饱和电压.基极相对发射极为负.硅管约0.6v

书上通常是以NPN为参考三极管,大多都是通过NPN三极管来介绍三极管的特性.NPN三极管集电极是N,基极是P,发射极是N,可以看成是2个二极管组成,即集电极和基极是1个二极管；基极和发射极是1个二极管

我判断是PNP管,U1=3.3V的是发射极E,U2=2.6V的是基极B,U3=1.5V的是集电极C.硅管.希望能帮到您.

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

红外二极管在没有光照时阻值较大,与4.7K电阻构成三极管基极偏置,分压的结果是三极管基极得不到能够使其导通的电压,47K电阻是集电极电阻其电压降几乎没有,所以,输出得到与5V电压相当的高电平.当红外管

NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压<基极电压<发射极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.3

NPN输出,是用NPN的三极管做集电极开路输出,集电极经继电器线圈接+24V.PNP输出,是用PNP的三极管做集电极开路输出,集电极经继电器线圈接-24V.注：以上的24V,只是举例,具体数值按产品规

不是.普通三极管是电流控制电流器件用基极电流控制集电极电流两者之比就是电流放大系数,是三极管的主要性能参数场效应管也就是FET才是电压控制电流器件用反向电压控制导电沟宽度,控制漏极电流,进而改变输出电