半径为r电荷线密度p=Ar-搜答案-大师作文网

由于正电荷均匀分布在球体上,所以电场强度有球对称性.设r为球心到某一场点的直线距离.根据高斯定理,ΦE=1/ε0∮q（∮q为高斯面内包含的所有电荷电量）对于球体,ΦE=E∮ds=4πr^2E所以1/ε

用电势叠加原理做,即将环看成是由很多个点电荷（取极短的一段）组成,每个点电荷在O点的电势的代数和等于所求结果.将环均匀分成n段（n很大）,每段的带电量是q＝a*2πR/n每段电荷在O点的电势都是　U＝

这里不好书写,帮你找到了一个地址：这里边的例题8-7,具体解答了你的题目,只不过它的电荷线密度字母不是用a表示.

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

以球心为原点建立球坐标系.设场点据原点的距离为r1对于球外的场点,即r>R时,可直接使用高斯定理求解.ES=P/ε,其中S=4πr^2整理得：E=P/4πεr^22对于球内的点,即

点电荷q在距离它r处的电势u=kq/r,k=1/(4πε),ε是真空介电常数.半圆环上任一线元dl上的电荷λdl都相当于一个点电荷,它在圆心处的电势dU=k(λdl)/R.半圆上所有线元上的电电荷都产

供参考.

这就是积分吧,距离球心r的厚度为dr的薄层带电荷为（4Pi*r^2*dr）*a*r（括号里是薄层的体积）,对r进行积分,从0到R,就是总电量了a*Pi*R^4

数学公式太复杂了,还不如手写的快,累死我了

弱弱得问一下、你学过电场的高斯定理吗?学过的话就好办、没学过的话还要解释一下高斯定理的证明再问：高斯定理正在学习中，所以就遇到了这个问题再答：哦哦、、我刚刚仔细想了想、这题还真不好办、是求圆环所在明面

一均匀带电球体,半径为R,体电荷密度为p,今在球内挖去一半径为r（r<R）的球体,求证由此形成的空腔内的电场死均匀的,并求其值.10

∵∮E·dS=E*4πr2另外,利用高斯定理,∮E·dS=1/ε*Σq当r=R时,E2=pR3/3εr2=q/4πεr2

由高斯定理可证,空腔内电场为零.再问：大物课你肯定没认真听讲..这问题我弄懂了没事了再答：你说说看再问：恩也有我没表达清楚的错误我是指的在大球里面随便挖一个小球，所以这个物理模型不具有很强的对称性，于

球内场强为0,球外场强为E2=KQ/r^2,Q=(3/4)*pai*R^3*k

楼主你太搞笑了,1.你积分积错了,2.你把几个量的字母搞混了改正方法：1&2.LZ的第一个式子,将积分上界换为r0LZ的第二个式子,将被积式换为dq/4πr0^2,将积分上界换为r0注意是r0!因为r

由于电荷体密度不均匀,因此要用微积分处理取薄圆球壳为研究对象,距球心为r,厚度为dr则球壳体积为dV=4πr²dr,该薄球壳区域内电荷为dQ=ρdV=2πr³dr由高斯定理,在球内

解：设以半径r做高斯面整个球体带电总量用积分q（总）=∫p*4π*r^2dr(积分限从0到R)=πKR^4.当r>=R时,E=q(总)/4π*ε0*r^2(此处ε0为真空介电常数)相当于整个电量集中在

解出来内部场强分布：E=Ar^2/(3ε0),外部电势分布：u=[AR^3/(3ε0)]*ln(r/R).是否正确?

晕你,究竟推求哪个定性或定量关系也说不清楚,是不是想让人大头呀?

表面积4πrr,该半径处电量Q=4πrr*ρ,电场强度E=KQ/rr.（K为库伦定理里的常量,和k不同）.所以E=K4πrr*kr/rr=4πKkr再问：不是吧，应该用到积分的啊再答：不用啊。。。