反向饱和电流数量级

温度升高时二极管反向漏电流是要增加的．这漏电流不会饱和,会引起PN结的结温进一步升高,从而使得反向漏电流更要增加－更发热－更升温－－直到烧毁．

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降>锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.压降虽然有不同,但是范围在(零点几~1点几)

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A～10

不需要估算,你用哪个型号的二极管,上网搜它的数据手册,一看就知道了.各个二极管不一样的,比如说1N4148的是这样写的：在输入电压20V,常温常压下是25nA,150℃下是50μA.而1N5819在常

少数载流子浓度增大.

因为二极管的反向电流的大小是取决于PN结中的少子的多少,温度高时少子多,而与电压大小无关

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能越好.

反向饱和电流：在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化,而此时反向电流恒定.

因为温度变化会引起本征激发的载流子浓度变化,从而导致反向饱和电流变化.再问：少数载流子的浓度变化和温度变化是不是存在一定规律，如果存在会是怎样的规律？再答：二极管的反向饱和电流Is与PN结相同，由少数

二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]近似估算,式中t0为参考温度.上式表明温度每升高10℃时,Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和;上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止;固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

反向饱和电流是由二极管内得载流子决定得

因为反向饱和电流是由少子漂移形成,而少子是由热激发产生,浓度很低,（故温度升高时,少子浓度变大,电流当然变大）,当反向电压还不太高时,几乎所有的少子都参与导电,即电流饱和现象,（只有电压超过某一临界值

阁下算问对人了,因为反向电流是由少数载流子构成的,而“少子”很容易从外界获得能量而活跃起来,使反向电阻剧变,故其反向电流会随温度变化.

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

通常在微安级.1N4007实际测量结果在20～300微安之间.这项指标的名称应该是反向重复电流,试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压,测量其峰值电流值.

我所知道的是硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A.发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同.主要有三种颜色,具体压降参