300V的电压可以直接接n沟道mos管d极吗

只要接在A1和A2上通上电之后马上就吸合,除非是坏的.再问：那还有一个A2是其什么作用？谢谢再答：为了接线方便，想从那边接就从那边接。

不可以,因为LED灯管的耐压值只有几伏.再问：知道了，谢谢你

可以,IN4007的耐压是1000V.再问：全桥整流不是正接反接的吗反接也行吗再答：是的，耐压就是耐反向电压的。交流电本来就是双向，你怎么放，它都会承受反向电压。耐压1000V绝对没问题，放心。

不可以,肯定烧掉,一般普通发光二极管允许电压很低的（不超过3V）,即使20只串起来,也承受不了这个电压,必须再串个电阻（普通发光二极管允许电流一般取20mA,因此你可以计算出需串入的电阻,如串一个发光

你要多小才算很小?5mR以内?20mR以内?再问：10M以内，你知道哪些？再答：只要型号名称里面带7580的，就肯定是10mR以内的，另外8580也是，这些比较容易买。

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

mos管的栅极电压很高,单片机的输出无法使它导通,应加高电压用一个三极管与它复合后使用,但这么做也太麻烦太不值了,还不如直接只用一个三极管来做控制开关了?3w的led灯电流在600-700mA,电流较

功率MOS管通常内部有一个反接的二极管,就是说源极S电流可以向漏极D流.我怎么在IR公司的官网上都找不到IRF907Z!

例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断）,这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型

G不用高于DG一定要高于Gth电压就是G导通的门限电压其实G应该高于Gth+S的电压

理论上高一点是可以的,一般是5V,手机自带控制电路,不过不清楚8.4V行不行.我查查看再回答你.另外问一下你的充电器输出电流是多大?原装充电器你什么规格?调研结果,手机电池充电器电压不要高于6V,所以

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,

60个LED串连的额定工作电压是222V,而220V交流电压的峰值是311V左右,两者相差很多,311V平均到60支LED上是5.18V,这样使用容易损坏LED,至少影响使用寿命.整流后加电容滤波的办

IRF3205,PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A⑤)

不行会烧毁的,建议：做一个专用插座,在线路里串一个1N4007整流二级管放在插座盒里.就好了再问：这样是不就是把220V变为110V了呀？谢谢你!请问接一个1N4007整流二级管和220V变110V的

"一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时Vg>Vs－－－－－－书上说的."这句话是错误的,应该是VG

电压的平方除以电阻的瓦数等于可以接用的电阻值.要直接接220V如2W电阻,电阻值R≮220²/2=24.2KΩ.要直接接220V如4W电阻,电阻值R≮220²/4=12.1KΩ.要

不是所有的二极管都可以的!二极管按功能分好多种!首先你必须用的是整流二极管.整流二极管也不是所有的都能整流220V交流的.整流二极管是工作在工频状态(50Hz)的,所以对响应频率要求不是很高.故此整流

D是负的,要用正的可以换NMOS,当然控制信号要倒像.

电阻一定要加,否则电流就会过大把灯珠烧坏,可以加15个灯珠,再加一个150欧姆的电阻再问：怎么连接呢，还需要二极管吗，220欧姆的电阻行吗再答：220欧的也可以，就是亮度会降低一点。连接也要看看您是做