3205场效应管栅极电阻阻值

这是一个P型场效应管,电阻R1的作用是为栅极提供一个管子关断后极间电容放电回路同时牵制栅极电位不会在没有栅极信号的条件下自行导通.R2作用是提供栅极电压的通路.当电阻R2的下端出现一个负的电压,场效应

喜获

等效线路是针对交流信号而言,而电源对于交流信号而言是与地通的（即短路）故输入阻抗＝R3＋R1//R2（MOS管输入阻抗高省去）这个等效是电压控制电流源

是场效应管开关时间有关的参数再问：开关比越大则开关时间越短？谢谢！再答：理论上是这样

比如二极管是正向通,反向不通,坏了的话就是正反都不通,那电路就没法工作了再问：请将这几种电子元器件的相关信息详细说一下。再答：二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二

电流：用数字万用表放于测量电路找一电阻测两端电压,I=U/R就OK了电阻：看色环直接读,不能就取下来,将表打到电阻挡,直接测就好电压：测量方法在上面了电容,电感和电阻一样二极管：正反两次,看电阻值是否

显然不能测出来的.普通的电阻,符合欧姆定律,他的阻值是线性的,他的U-I图像是一条直线,U=kI.而二极管、三极管、场效应管等都是非线性的,他的U-I图像时非线性的f（I）=U.

你的问题问的太多了吧?字数限制只能回答几个：电阻：resistor电感：inductor二极管:diode三极管：transistor场效应管：FET（fieldeffectivetransistor

场效应管工作的时候,输入极（栅极）是和衬底绝缘的,没有电流流入,依靠和衬底之间的电压来控制源极-漏极之间的电阻大小.结型场效应管的原理差不多,其工作时候的PN结是反偏的,也没有输入电流.场效应管是电压

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

,因为场效应管是压控器件,通过调整栅极电压来控制漏源机电压

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的,会击穿.再问：其次还应注意啥导师？

加个470K左右试试,具体原因我也不是很清楚.我用irlml6402时,通过测试选用了470K的电阻.如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下,------------------------------

唉!今天的年轻人啊!唉!今天的大学生们啊!真叫老叔我长见识了!不服?看下以下那段文字吧!场效应管栅极变化对漏极与源极电阻线性变化影响场效应管栅极变化?什么在变化?怎么个变化法?再问：首先我才大一，比赛

"一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时Vg>Vs－－－－－－书上说的."这句话是错误的,应该是VG

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管

这要看具体型号的.但目前大多数情况下的管脚排列都是一致的,只有个别型号不同.大多数管脚排列是这样的：带字的一面面对自己,从左到右依次为：G极（栅极）,D极（漏极）,S极（源极）.

正如“董事长老豆”所说,栅极电阻R是防止万一场效应管SG或DG击穿时,用来保护前面的PWM输出电路的.而R上并联的电容C的作用是：加速场效应电子电力开关的开通和截止,提高开关频率,减小管子损耗,不使管

irf7822,开启电压1v,漏源30v,电流记不清了,可以自己看资料

1、测量场效应管输入电阻时,应考虑哪些因素.DA）由于场效应管输入电阻较高,一般可达10M以上,所以在测量时一定要使用高内阻表测量,注意预防静电击穿栅极,并要注意对外界信号隔离,以防感应信号的寄生在测