在测量PN结正向压降和温度的变化关系时,温度高时△VF一T线性好,还是温度低好?-搜答案-大师作文网

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

可以这样来理解,（1）P型半导体体内空穴浓度大,N型半导体电子浓度大,当P,N型半导体接触时,就会有电子空穴对的复合.P型（掺三族元素）,N型材料（掺五族元素）本来是中性的,P型部分区域的空穴被复合后

多子当然不是无穷的,当电子和空穴复合后,会分别从电源获取电子和空穴.从而源源不断的进行扩散运动.实际情况下,这个过程持续的长短是和电源所拥有的电荷有关的.但是你要主意这种理想化的表述方法：在PN结两端

硅二极管差不多0.5-0.7V锗二极管差不多0.3-0.5V再问：再请问有关三极管的书籍能介绍点看看吗？

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

低温好,高温影响测量结果PN结正向压降与温度关系的研究从二十世纪六十年代起开始发展的PN结传感器具有灵敏度高、线性好、热响应快和体小轻巧等特点,尤其在温度数字化、温度控制以及微机进行温度实时讯号处理等

低温好,高温影响测量结果

并没有消失,只是变窄了!当加正向电压时,空间电荷区会很窄,所产生的电场会很强大,电子会穿过空间电荷区,从而实现导电!

P区,N区

对

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

热敏电阻吧有正温度系数和负温度系数2大类实际应用中没有用二极管做感温元件的

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

就我个人理解是关系：I1=I+If.区别：I1是光生电流、If是P--N结的正向注入电流,I是太阳电池提供的负载电流它们各自的定义互不相同.形成：I1是光照产生,电子向N区移动,空穴向P区移动从而形成

用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值.正常时,正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）.较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时,管内会发

超出范围,半导体的载流子特性,pn结单项导电等特性消失.一般指硅,锗更小.

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向