如图所示,已知BJT的=50,Vbeq=-0.7,求该电路的静态工作点-搜答案-大师作文网

由于硅BJT的VBE=0.7V,已知BJT的电极A的VA=1.3V,电极B的VB=2V,电极C的VC=6V,故电极C为集电极.又因为BJT工作于放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏可知,电极A是发

假设都在恒流放大状态硅管Ube=0.7V锗管Ube=0.3V题目中接近的电压均相差0.7V所以都是硅管NPN类型集电极Uc端的电压最大,基级Ub电压第二,发射级Ue电压最小,且基级大于发射级0.7VP

已知如图所示,

题目有些问题吧.应该是AD//BC吧~因为∠B=∠C,所以∠EAC=∠B+∠C=2∠C.又AD平分∠EAC,所以∠EAC=2∠DAC.所以∠C=∠DAC,然后根据内错角相等即可得AD//BC.

楼上的答非所问,我明白你要问什么,其实三极管的两个PN结在加正向电压的时候都是0.7V,也就是说你说的VBC也是0.7V.但是实际的应用中我们一般是人为的让VBE=0.7V,VBC不让他等于0.7V.

一般硅三极管基射间起始导通电压是0.5V、饱和电压0.7V,题给为Vbe=4-3.6=0.4V,所以应该是截止区.“要是VC=6V,VB=6V,VE=5.4V”,Vbe=6-5.4=0.6V,Vce也

简单点理解就是那个极接地就共什么集,输入口就是从输入端口行成一个完整的回路,同理一样

可以理解为是三极管中,电流的流向.不过仅限于是外加正向电压下的情况.也是P-N结的方向.

如果是硅材料做的,那么,在导通的情况下,可以设定为0.7v若是锗材料,可以近似为0.3v做题目时,一般不说明的情况下,可以用0.7v做,因为反正很小的量,不会有太大误差因为Vbe最大只能是导通时的0.

bjt是什么?

三极管!

B代表三极管基极,E代表发射极VBE代表基极和发射极之间的电压降,on代表三极管导通的意思Vbe(on)=0.6V的具体意思就是说三极管导通的时候,其基极-发射极电压为0.6V

（1）R1和R4并联,所以d点电压：100*20/（20+60）=25V同理求得a点电压50V所以电容两端电压50v-25V=25v电量：25V*20uF=0.0005C（2）这需要用叠加定理比较简单

Rb提供偏置电压啊,这个输出端通过Rc交流接地,不起反馈作用再问：Rb两端的电压从哪里来的啊？输入端口吗？输出端通过Rc交流接地怎么解释？再答：主要从VCC来啊，这是静态工作点的设置啊再答：直流电源交

用“派”代表圆周率,抱歉拉波谷是（-1,y）,且过（2,0）所以四分之一个周期是3,一个周期是12,所以w=2派/12=派/6因为（2,0）是上升趋势的零点,所以2w+φ=0,所以相位角φ=-2w=-

思路：VBE=VB-VE；VBC=VB-VC；VCE=VC-VE；在三极管正确偏置时,这些差值中,VBE、VCE：>0,为NPN型；

（1）∵抛物线开口向上，∴a＞0，∵对称轴在y轴右侧，∴b＜0；∵抛物线与y轴负半轴相交，∴c＜0，∵抛物线与x轴交于两点，∴b2-4ac＞0，∵x=-1时，y＜0，∴a-b+c＜0；（2）由函数的图

JFET的输入电阻是栅极与源极之间的电阻,而JFET工作时加的栅-源电压是反向电压,栅pn结是反偏的,因此输入电阻很高（也就是pn结在反偏时的电阻）.BJT的输入电阻是发射极与基极之间的电阻,而BJT

稳定工作点,提高温度、电源适应性.

BJT：双极结型晶体管JFET：单极结型场效应晶体管MOSFET：单极绝缘栅型场效应晶体管

周期为2（2）原图像向左平移一个单位即可（3）不能

p=6*6/RL=6w,POM=12*12/2*RL=12WpT=0.2PCM=1.2W〈6W12+12