= 已知晶体管静态时,UBEQ=0.7 电路的名称 二极管的系数

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

你问Ubeq如何得知的,那么这个是根据三极管的材料决定的,若是硅材料的三极管,Ubeq≈0.7V,若是锗材料的三极管Ubeq≈0.3V.另外,Q点的求根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

mark,晚上做.高多少分呀~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~请参考空间给做的课题,里面有镜像电流源讲解连接http://hi.baidu.com/solank/

1、静态工作点：VB＝Ube＝0.7V,Ib＝(Vcc－Ube)/Rb＝(12－0.7)/450＝0.025mA,Ic＝阝Ib＝100x0.025＝2.5mA,Uce＝Vcc－RcIc＝12－3x2.

1,直流电路如图2,先求B点电压,VB=Rb1*Vcc/(Rb2+Rb1)VB=UBEQ+(1+β)IBQ*Re,1+β约为βIBQ就求出来了,然后ICQ=β*IBQ,求得ICQUCEQ=Vcc-IC

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

6-0.3=5.7选B再问：不过为啥答案是2V呢？再答：题目缺个条件----电源电压，所以按通常情况（静态工作点为1/2电源电压）估算来选B。电源电压低于12V则A、B、C都不符合要求，只能选D。再问

Ic=2mA,Vb=3.6V,Ib=0.02mA,RB2=3.6/0.2=18K,RB1=8.4/0.2=42K再问：0.2ma怎么来的，0.2=10*Ib，我想知道为什么是10倍的Ib，我就是卡在这

答案是放大区么?我也在看模电~可以讨论讨论哈~Ube=0.7=Vcc-Ib*Rb,所以Ib=0.0000143A又因为Ic=贝特*Ib=30Ib所以,Uce=Vcc-Ic*Rc=4.57V所以BE正偏

这个是这样子的再答：再答：你也学模电啊，日后多交流哦

(1)IBQ=(VCC-VBEQ)/RB=(12-0.7)/500k=0.0226mAICQ=β*IBQ=80*0.0226=1.808mAVCEQ=VCC-ICQ*RC=12-1.808*5k=2.

(1)假设三极管基极电压为UB,则   IBQ=(Vcc-UB)/RB1-(UB/RB2)     (a) &

22.6uA1.8mA3V-1671.2千欧5千欧-83.5

Ic=(15-0.3)/3000=0.0049(A)Ib=0.0049/40=0.0001225(A)Irb=(9+0.7)/20000=0.000485(A)Irx=0.0001225+0.0004

解答过程如下： 点击图片可以查看清晰大图

静态工作点根据电路图的直流通路来算,IBQ~VCEQ~IEQ；电压放大倍数：先根据电流放大系数求出输出电压和输入电压,最后求Av；输入输出电阻要根据电路图来画小信号模型,然后计算怎么说,你没图啊

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

Ube是管压降,是已知条件,不需要求（一般是默认的,题目不给出）,锗的Ube是0.2,硅是0.7再问：但是题中并没说是硅管还是锗管啊再答：一般是硅制晶体管，有时候他会给出三极管的型号，可以得出是硅或锗

(1)“=1V”应该是Ueq吧.Rc=(Vcc-Ucq)/Icq=(9-4)/2=2.5kΩIeq=Icq*(1+β)/β=2*51/50=2.04mARe=Ueq/Ieq=1/2.04=0.490k