已知三极管b=100

NPN硅管：如果B比E高0.55－0.75V,CE极电压小于0.5V,则可以认为是饱和状态；如果CE极电压高于1V,可以认为是放大状态或截止状态,然后再测BE极电压：高于0.6V可认为是放大状态,低于

这个是由公式化简得来的,由于β=ic-icbo/ib+icboic=βib+(1+β)icbo=βib+iceoiceo=(1+β)icboicbo为基集反向饱和电流.由于放大系数：ic=βib,然而

B表示基极,其他两个极是发射极和集电极分别用E和C来表示还有一种解释是雪崩管的符号.

ic=βib+(1+β)icbo=βib+iceoicbo为基集反向饱和电流.由于放大系数：ic=βib,然而这个时候,ic=βib+（1+β）icbo,这就形成了所谓的穿透电流.而一般情况下不考虑微

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

（b）图是处于放大状态,Ib=0.1mA,Ic=4.9mA,Vc=6.7V；（e）图是处于饱和状态,Ib=3.255mA,Ic=130.2mA,Vc=-0.3V.

1,直流电路如图2,先求B点电压,VB=Rb1*Vcc/(Rb2+Rb1)VB=UBEQ+(1+β)IBQ*Re,1+β约为βIBQ就求出来了,然后ICQ=β*IBQ,求得ICQUCEQ=Vcc-IC

集电极电阻是负载电阻的两倍,电路的电流放大系数就是100了再问：能举例讲一下电路中的电阻值吗？谢谢再答：比如你的负载电阻是1k，那么Rc就该是0.5k，那么电路的静态电流就是Ic=6／0.5＝12mA

根据题中信息,可得：IB=(Vcc-UBE)/Rb=11.3V/377kΩ≈0.03mA,则IC=50*IB=1.5mA,得UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-1.5*6=3V＞饱和电压,所以管子工

（b）,导通.（c）截止（发射结反偏）

设发射极电位为u,则有(12-0.7-U)*101/500000=U/1000,解得U=1.899,可得IE=0.001899A,所以集电极电阻上压降约为3000*0.001899=5.7V,所以集电

这个是这样子的再答：再答：你也学模电啊，日后多交流哦

(1)假设三极管基极电压为UB,则   IBQ=(Vcc-UB)/RB1-(UB/RB2)     (a) &

发射极电流＝集电极电流＋基极电流．即Ie＝Ic＋Ib,将它们的绝对值从大到小顺次排列IeIcIb．如给出的电流是正值为NPN型三极管,如给出的是负值为PNP型三极管．

先求晶体管的Ib=（6-0.7）/100KΩ=53μA；则Ic=β*Ib=30*53=1.59mA；求出晶体管Rc的压降：Ic*Rc=1.59mA*1KΩ=1.59V；所以：此晶体管的Vceq=6-1

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

Ib=Ic/B=2/50=0.04mAIe=Ic+Ib=0.04+2=2.04mA再问：叙述如何用万能表检测三极管的管型和基极

Ic=β*Ib,Ie=Ic+Ib.

实际上,你只要知道了三极管各极的电流大小和方向,就等于已经知道了三极管的极性,因为,发射极电流等于集电极电流加基极电流,且基极电流小于集电极电流,对于PNP型管最低电位在集电极,对于NPN型管最低电位

这是一个射级跟随器,放大倍数约等于1再问：我用它放大信号，无线传输距离达到80米。如果是跟随器，不可能达到那么远的吧？求解释再答：你p24不是接的天线吧，后面应该还有功率放大电路才对。你上的图就是一个