怎么判断硅管晶体管正偏反偏

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

晶体管导通,不论是PNP还是NPN,电位差最小的两个电极是基极B和发射极E,电位在中间的是基极B.如果是差0.7V左右,是硅管,差0.3V左右,是锗管.很明显,U1和U2一定是B和E,那么剩下的就是U

用晶体管做成放大电路,测试经过放大电路后的信号在高低温度变化其信号的变化,变化量越小则热稳定性越好.

由于有两个电极的电压差等于0.6V,所以该管是硅材料.这时我们可以肯定基极和发射极,一定是分布在电压为4V和3.4V这两个管脚上,如果是PNP那么就应该是发射极的电位最高,现在可以肯定发射极不在9V的

这个来源就多了.温度影响噪声,偏置电压的误差,以及测量仪器本身精确度都会造成误差

晶体管的输入电阻比较小,一般在K欧姆级别；等效电路是用电阻表示；MOS管的输入电阻比较大,一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路表示.

晶体管截止时,Vc-Ve的值也是大于0.7V啊!1、测量基极与发射极的电压.拿硅管来讲：基极与发射极的电压在0.65V左右时,为放大状态,小于0.6V为截止状态,0.7时呈饱和状态.2、测量集电极的电

场效应管工作的时候,输入极（栅极）是和衬底绝缘的,没有电流流入,依靠和衬底之间的电压来控制源极-漏极之间的电阻大小.结型场效应管的原理差不多,其工作时候的PN结是反偏的,也没有输入电流.场效应管是电压

1、先将数字万用表置于电阻测试档（低阻挡）；2、用红笔接G端,黑笔接S端；3、用数字万用表测S-D端,看是否导通,如不导通则已坏,如导通则继续下面步骤；4、将G-S端短接,再测S-D端的电阻,如导通则

分析：图中的三极管属于PNP管,从数据看,基极电位异常（正常时它的电位应是居中,不是最低）.三极管be电压是0.3V（应是锗管）,而ce电压只有0.2V,所以判断此管似乎损坏了.再问：那前面的负号对判

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

同一点接入为并联,不同节点接入为串联

从图来看,可以测集电极电压来判断：集电极电压接近或等于14V,则三极管截止；集电极电压接近或等于0V,则三极管饱和；集电极电压在7V左右,则三极管处于放大状态,过高过低都会使被放大的信号产生失真.再问

看晶体管的输入和输出部分,如果基极和发射极构成输入回路,集电极和发射极构成输出回路,那么就是共射如果发射极和基极构成输入回路,集电极和基极构成输出回路,那么就是共基如果基极和集电极构成输入回路,发射极

NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压<基极电压<发射极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.3

你是没搞清楚运放和比较器的区别.运放在工作范围内输出电压是和输入电压线性变化的；而比较器只是一个比较作用输出电平就是高和低.搞清楚运放和比较器的定义你就明白了

一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚.对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下：1.正测与反测将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,