无限大均匀带电直线电荷线密度€得电场
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/09/21 19:10:34
取一圆柱形高斯面,其底面与该平面平行大小为S.根据高斯定理(φ=q/ε)和对称性(上下两个底面),2ES=pS/ε,所以E=p/2ε再问:对称性是个什么?还有就是不懂那个2ES再答:根据对称性,平面两
高斯定理做外面是pd/2ε0里面距离中心层x位置差场强px/2ε0
1.(1)E=0;;(2)薄层内与其表面相距0.1m处的电场强度E=ρd/2ε0=(10^(-4)*0.3*10^(-2)/2*8.85*10(-12)=1.695*10^(-4)V/m3)薄层外的电
每一个“无限大”均匀带电平面,在空间产生的电场强度为σ/(2ε0),三个平面把空间分成四部分,根据场强叠加原理,四部分空间的场强从左到右分别是:3σ/(2ε0),方向向左;σ/(2ε0),方向向左;σ
电荷密度没打出来呢?比如分别为+σ1和+σ2.设电荷面密度为+σ1的为板A,电荷面密度为+σ2的为板B.A板产生的场强大小为E1,根据其对称性,对板A取一圆柱形高斯面,高斯面截面积为s根据高斯定理∮E
取高斯面S,ES=4πkOS/ε,E=4πkO/εls的单位ms不对.
我能不能把电荷面密度用σ来表示,a看起来不太舒服.设电荷面密度为σ的为板A,电荷面密度为2σ的为板B.设板A在两板间产生的场强大小为E1,根据其对称性,其在两板外产生的场强亦为E1,方向相反.对板A取
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
可以采用高斯定理,作一个以直导线为轴心,底面半径为R,高为L的圆柱封闭面,E×2πRL=ρL/ε.所以E=ρ/(2πRε.)
物理书上有无限长的带电导线在线外任意一点产生的场强的公式,自己看吧那个东西实在不好打
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
用高斯定理∮EdS=q/ε,可以设计一个这样的则得2ES=Sσ/εE=σ/2ε,这是平面的场强公式,然后空间的就只需要叠加一下就行了,加加减减什么的再问:能给下具体步骤吗再答:我去这还不具体啊。平行板
由题易知:板两边相同r处的场强E相同.因为板无限大,当达到平衡之后,其电场全部都是垂直于板向外的(因为若不是垂直,则有平行分量,则电荷会移动,不满足平衡,但前提是平衡).取板上S面积的块,对应到板两边
直接用高斯定理算得
1、首先,x>0时,对E积分所得的电势是负的.2、dl的方向是有l的方向决定的,因为它是l向量的微量.3、当x向量为x正方向时,dx就为正的,x向量为负方向时,dx就为负的.所以,跟x有关.还因为x有
运用高斯定理的话,十分简单..将左式中的dS积分后移到右边,E=σ/2ε0(2ε0就是2).但问题是你懂微积分不?
本结论可运用高斯定理解.高斯定理:通过某一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内所含电荷量的4π(圆周率)K倍.即:φ=4πkQ其中ES=φ(E为场强,S为正对面积)取无限大平板上一小面积s则有:E=4πk
对称性.等距离处上下两个表面对通量有贡献,2ES包含的电荷量σS因此2ES=σS/ε匀强电场,与距离无关.
如果电荷密度为p则E=p/2e0,其中e0为介电常数,与距离无关这个要用高斯定律或者微积分推导