晶体管硅管和锗管基极电位的区别-搜答案-大师作文网

工作在放大区是不可能出现这组数据的.

硅管,NPN,放大状态下……

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

晶体管导通,不论是PNP还是NPN,电位差最小的两个电极是基极B和发射极E,电位在中间的是基极B.如果是差0.7V左右,是硅管,差0.3V左右,是锗管.很明显,U1和U2一定是B和E,那么剩下的就是U

先假设二极管反向截止,则：Va=10*2000/(2000+500)=8V,Va-0.7V=7.3V＞6V,二极管会导通,则：A点电位被二极管钳位在6.7V.Va=6.7V.再问：下电阻应该是（10-

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

碳纳米管按照石墨烯片的层数分类可分为：单壁碳纳米管（Single-wallednanotubes,SWNTs）和多壁碳纳米管（Multi-wallednanotubes,MWNTs）,多壁管在开始形成

如图,上面一排是硅管,下面一排是锗管.因为制图符号旋转有困难,下面一排三极管的引脚以所标注的电压值为准.

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

这个电阻的作用是提高可靠性.半导体器件处于截止状态时,并非断路,实际上是高阻态.如果器件连通电源,就会有漏电流通过.虽然漏电流常常可以忽略,但有时忽略它却可能导致不安全.以此图为例.Q1的基极可能与某

PP的意思是聚丙烯,PPR全名叫做三型无规共聚聚丙烯,PPR和PP的主要区别如下1：材料,PPR在改性工艺里加入了约5-10%的PE材料,以增加PPR的柔韧性2：分子结构不同3：性能方面PPR占优,P

放大电路,硅管Ube约为0.0.7V,由此可知,该三极管为硅管.且11V端为C极,根据三极管发射结正偏,集电结反偏,NPN型UC>UB>UEPNP相反,故为NPN管

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

锗管漏电流大,反应速度快一些

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

球墨铸铁管球墨铸铁管的优点：在中低压管网,球墨铸铁管具有运行安全可靠,破损率低,施工维修方便、快捷,防腐性能优异等.球墨铸铁管的缺点：球墨铸铁管的连接受人为因素如操作水平、责任心等影响较大,施工方面不