本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等对不对

这个需要一点固体物理和量子力学的概念.我刚好学习过:)金属的电阻机理:实际上,金属的晶格规则排列;金属的电子在金属内部的填充方式使得有一部分电子能够比较自由(我们称金属的一个价带是半满的,在这个价带内

N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.

既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是

半导体,具有负电阻温度系数,其电阻值是随温度的升高而减小,随温度的降低而增大,虽然温度升高粒子的无规则运动加剧,引起自由电子迁移率略为下降,然而自由电子的数目随温度的升高而增加得更快,所以温度升高其电

对于本征半导体,本征激发起决定性因素,T升高时电阻下降；对于杂质半导体,在温度很低时,本征电离可忽略,T升高,杂质电离的载流子越来越多,电阻下降进入室温区,杂质已经全部电离,而本征激发还不重要,T升高

一般电阻公随温度的升高而增大的.也就是说材料的电阻率是正温度系数的.有半导体材料的电阻率是负温度系系数的.做成的电阻其值随温度的增加而减小.好像有的空调的出风口的感温电阻就是这样的.

导体随着温度升高电阻增大.再问：还有什么需要这样记住的？再答：导体温度越高，原子活动剧烈，所以电阻越大。

这个变化很小可以忽略不记,只有热敏电阻才有变化的.

温度上升后,半导体内部的电子或者空穴摆脱原子核对其控制的能力就会增大,成为自由电子或空穴,从而以这些为基础的载流子浓度就会增大,导电能力也就增大.换言之,其最阻变大.

半导体的过剩载流子的寿命主要是由复合几率决定的.电子从价带跃迁到导带后,如果导带和价带能量差得越大,越容易掉下来,所以寿命也就越短.如果温度高,粒子的平均动能高,价带的能量也就高,导带和价带的能量差更

本征半导体是完全不含杂质、晶格完整的单晶体n型半导体是指以电子为多数载流子的掺杂半导体PN结的_半导体是二极管--》读不通正常工作时工作在反向击穿状态的二极管通常是稳压二极管整流电路是二极管实际应用电

半导体随着温度的增大,电流起波动,增大,所以说是半导体电阻减小.

本征半导体完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体.硅和锗都是四价元素,其原子核最外层有四个价电子.它们都是由同一种原子构成的“单晶体”,属于本征半导体.1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热

因为电子随温度的升高而运动加速,所以导电性能提高.

固体半导体中可以移动的载流子,实际上只有电子.电子分：在导带中的电子,和价带中的电子.由于两种电子的迁移率不同,造成它们导电性的不同.为分析方便,称导带中的电子为“电子”,而价带中的电子为“空穴”,并

本征半导体(intrinsicsemiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体.特点：电子浓度＝空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差,所以,实际上少用,要掺杂后才实用.

因为金属靠电子运动来导电,当温度升高的时候,原子核运动加快,阻碍电子的定向移动,电阻增大.半导体靠晶体缺陷导电,温度升高时,空缺的移动速度快,所以电阻小.至于绝缘体……没有绝对的绝缘体的

本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.

问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方：以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子

本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下