本征半导体矿物-搜答案-大师作文网

纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素.而杂质半导体是指在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体.两者有本质的区别.

既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是

按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价

C

我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一）,则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带

你看图,在圈里的黑点都是电子,形成了固定的化学键,不能乱动,所以无法作为载流子.白点空穴,就是那个白点没电子,所以白点没有形成固定的化学键,可以移动,作为载流子形成电流.空穴是载流子的时候就是p型半导

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

1、这么说不太严谨,对于不同种材料,比如Si和GaN,本征Si的导电性要比低掺杂GaN的好.2、对于同一种半导体,掺杂之后在常温下杂质电离的载流子比本征电离的要多,所以掺杂半导体导电性比本征好.3、对

掺入施主杂质（如P、As、Sb）即可变成为N形半导体；掺入受主杂质（如B、Al、Ga、In）即可变成为P形半导体.

本征半导体完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体.硅和锗都是四价元素,其原子核最外层有四个价电子.它们都是由同一种原子构成的“单晶体”,属于本征半导体.1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴在热

N型半导体多子为电子,即电子导电,所以要向其中加入五价的元素,例如P、AS、Sb等元素.选A

----------------导带-----------------价带本征半导体带隙中不存在杂质能级,能带结构只由导带和价带构成

本征导电性能最差.N型靠电子导电,P型靠空穴导电（空穴实际不存在的）,电子迁移率比空穴高.

常用的四价元素硅和锗等纯净半导体称为本征半导体.半导体分为两种N型和P型.本征半导体与载流子的浓度,与材料的性质和温度有关,随温度的增加,基本按指数规律增加.依电子导电为主的叫做N型半导体,依空穴导电

不是本征半导体,是由n型半导体和p型半导体构成的本征半导体是不掺杂的纯净半导体

本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上,导带中的自由电子和价带中的空穴均很少,因此常温下导电能力低,但在光和热的激励下导电能力增强.n型掺杂半导体的费米能级接近导带底,导带中的自由电子数高于

本征半导体(intrinsicsemiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体.特点：电子浓度＝空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差,所以,实际上少用,要掺杂后才实用.

本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.

本征半导体中掺入[ⅢⅤ]族元素例如[掺入Ⅴ]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[＜]自由电子浓度[＜]本征空穴浓度.2009年11月20日8:53:01