大师作文网杂质半导体中多子浓度主要取决于
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/11/12 01:13:08
CBBBABBACAAA再问：一共13体
对于n型半导体,其中的电子是多数载流子,但是这些电子主要是来自于施主杂质原子的电离.当一个施主原子电离出一个电子后,本身就带有一个正电荷,则它们的正负电荷相等,保持为电中性；许多施主原子电离出同样多的
化学元素周期表中3主族元素为受主杂质,5主族为施主杂质.半导体中受主杂质占主导地位为P型,施主杂质占主导地位为N型
选取3价元素,例如：硼,铝,镓,铟；
直拉法生长的硅单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响.掺杂估算所考虑的只是肩部下刚开始等径生长的硅单晶要达到的目标电阻率.在忽略了一些次要因素后,可以对掺杂量进行大致的估算,作为试拉时的依据,然后可以再根
理解的有一定的深度,空穴是不同原子间形成共价键.共价键使不同原子公用电子,达到最外层八个电子的稳定结构,如果还有原子剩余电子,则该电子自由.于是材料靠电子导电,即为N型.否则电子不足,照样共价后,便在
如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.\x0d如果是掺杂半导体,这个过程比较复杂,先下降,后上升,最后再下降.
根据物理上的需要往纯的半导体中掺入所需的元素
你把完整的话写下来杂质吸收是杂质吸收光波之类的东西吧,半导体物理里面啥地方出现这个概念了?再问：我找不到这才在网上寻找高人么，今年考研，不是应届，也没个老师问。我再找找提交追问吧
没有掺杂的半导体称为本征半导体,掺有杂质的半导体称为杂质半导体.杂质半导体：一种是掺有施主杂质的n型半导体,一种是掺有受主杂质的p型半导体,还有一种是既掺有施主杂质、又掺有受主杂质的补偿型半导体——这
A.一级结构决定高级结构.
载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
1NP2反偏正偏3与基极电源一起,确定基极电流的大小
你这句话首先是对的,其实真正在导体中流动形成电流的只有电子,P形半导体其实流动的也是电子,只是说这些电子在逐步的填补空穴,可以从相对上来认为是空穴在流动.但是你想,空穴是什么,它并不是真实意义上的物质
在假定迁移率不变的情况下,硅的电阻率由载流子浓度决定.室温下,硅有确定的本征载流子浓度.也即有确定的电阻率.在掺杂的情况下,掺杂的浓度会远大于本征载流子浓度.则硅的电阻率,就完全由杂质浓度来确定.所以
发电机的调速器.n=60f/p
按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质.按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质.浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大,而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著.氧、
问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方：以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子