氟化铵刻蚀二氧化硅球

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/09/25 05:33:36
氟化铵刻蚀二氧化硅球
三氟化氮(NF3)是微电子工业中优良的等离子刻蚀气体,它在潮湿的环境中能发生反应:3NF3+5H2O=2NO+HNO3+

A.只有N元素的化合价发生变化,NF3既是氧化剂又是还原剂,故A错误;B.NF3生成NO,被还原,NF3生成HNO3,被氧化,还原剂与氧化剂的物质的量之比为1:2,故B错误;C.生成0.2molHNO

(2014•宿迁模拟)三氟化氮(NF3)是微电子工业中优良的等离子刻蚀气体,它在潮湿的环境中能发生反应:3NF3+5H2

A.只有N元素的化合价发生变化,NF3既是氧化剂又是还原剂,故A错误;B.NF3生成NO,被还原,NF3生成HNO3,被氧化,还原剂与氧化剂的物质的量之比为1:2,故B错误;C.生成0.2molHNO

玻璃的主要成分之一是二氧化硅,能在玻璃上进行刻蚀,将其制成毛玻璃和雕花玻璃的物质是(  )

A、二氧化硅与烧碱反应,但反应缓慢,生产的硅酸钠和二氧化硅难以分离,不能用于在玻璃上进行刻蚀,故A错误;B、纯碱与二氧化硅在高温下反应,不能用于在玻璃上进行刻蚀,故B错误;C、氢氟酸与二氧化硅易反应,

化学刻蚀如何出缓坡

一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方法,包括:A.在基片上涂敷介质层;B.在高温下固化;C.旋涂光刻胶;D.光刻、显影,制作倒梯形剖面的光刻胶;E.用含有氧气的等离子体进行干法刻蚀,得到正梯形

四氟化碳 与硅和二氧化硅的反应

CF4-----在电浆下----->2F+CF2SiO2+4F--->SiF4+2OSiO2+2CF2--->SiF4+2COCF4经过电浆轰击产生F原子跟CF2原子团F原子跟CF2原子团分别跟SiO

氟化铵和二氧化硅反应的方程式

4NH4F+2H2O+SiO2=SiF4+4NH3.H2O

二氧化硅和氢氟酸反应方程式生成的四氟化硅有没气标号

四氟化硅:无色、有毒、有刺激性臭味的气体,要有气标号

二氧化硅的熔点为什么比四氟化硅高

二氧化硅是硅原子跟四个氧原子形成的四面体结构的原子晶体,整个晶体又可以看作是一个巨大分子,SiO2是最简式,并不表示单个分子因此熔点高

氟化钙 二氧化硅 一起燃烧能产生氟化硅吗?

化学反应不能想当然.这个反应是浓硫酸与氟化钙加热条件下作用生成氟化氢,氟化氢与二氧化硅反应生成四氟化硅和水.H2SO4+2CaF=2HF+CaSO44HF+SiO2=SiF4+H2O第一步是个强酸制弱

四氟化碳在等离子体刻蚀中对人的危害有哪些?

四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体,发挥性较高,是最稳定的有机化合物之一,在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%

碘化钾与氯化铁和氟化铵反应

不要被人误导先是Fe3+氧化I-2Fe3++2I-=2Fe2++I2加入NH4F后,由于生成非常稳定的[FeF6]3-反应逆向进行I2+2Fe2++12F-=2I-+2[FeF6]3-

氟化铵与二氧化硅的反应速率如何?除二氧化硅可不可以用氟化铵,与氢氟酸比起来哪个更好呢?

氟化铵与二氧化硅反应很慢,刻蚀二氧化硅可用BOE蚀刻液.主要是BOE液体中的氢氟酸刻蚀二氧化硅,氟化铵补充氢氟酸中消耗的氟离子.通过氟化铵与氢氟酸的比例(5:50:1)来控制反应刻蚀时间速度.国内目前

什么是等离子刻蚀

首先是要利用气压为10~1000帕的特定气体(或混合气体)的辉光放电,产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团,生成的反应产物是挥发性的.它在低气压的真空室中被抽走,从而实现刻蚀.通过选择和控制放

硫氰化铁与氟化铵的反应方程式.

SCN配位被F取代Fe(SCN)3+6NH4F=(NH4)3Fe[F6]+3NH4SCN

四氟化碳 与硅和二氧化硅的反应有毒吗,对人体有医学吗,等离子刻蚀机的辐射大吗

单质氟对人体肯定是有害的,就如冰箱使用不含氟利昂的,至于你的工作环境,保持空气流通会好点,别一直呆在哪里,有空出去呼吸新鲜空气对身体有好处!

二氧化硅

目数:每英寸(25.4mm)长度上所具有的网眼数.拿你说的二氧化硅过筛,筛子越细则目数越大,实际上是度量有多细.

氢氟酸与氟化铵哪个对玻璃的危害大

别听他们的,说的全都不全除了氟化物与碱,热的浓磷酸也是可以腐蚀玻璃,事实上热浓磷酸甚至可以腐蚀纯石英,更不要说耐腐蚀性稍差的玻璃了注意必须是热的浓磷酸,大概是200度吧

氟化铵的溶解度氟化铵在20,30,40,50,60,70,80度的时间,溶解度各是多少?

查表,记得铵盐溶解度和温度关系和常规的相反就是了