温度升高二极管反向饱和电流

温度升高时二极管反向漏电流是要增加的．这漏电流不会饱和,会引起PN结的结温进一步升高,从而使得反向漏电流更要增加－更发热－更升温－－直到烧毁．

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降>锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.压降虽然有不同,但是范围在(零点几~1点几)

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

不需要估算,你用哪个型号的二极管,上网搜它的数据手册,一看就知道了.各个二极管不一样的,比如说1N4148的是这样写的：在输入电压20V,常温常压下是25nA,150℃下是50μA.而1N5819在常

1.二极管是一种具有单向导电的二端器件.2.外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流.由于反向电流很小,二极管处于截止状态.这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电

少数载流子浓度增大.

因为二极管的反向电流的大小是取决于PN结中的少子的多少,温度高时少子多,而与电压大小无关

硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

反向饱和电流：在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化,而此时反向电流恒定.

因为温度变化会引起本征激发的载流子浓度变化,从而导致反向饱和电流变化.再问：少数载流子的浓度变化和温度变化是不是存在一定规律，如果存在会是怎样的规律？再答：二极管的反向饱和电流Is与PN结相同，由少数

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C,反向电流约增大一倍.

二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]近似估算,式中t0为参考温度.上式表明温度每升高10℃时,Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

所需电压较高,还要串入一个较大电阻.再问：测试仪上怎么读取？再答：晕，这有怎么读的？直接读取显示数据就行了。那就是管子的反向漏电流了。再问：THKS再答：没什么问题了记得采纳哦。

反向饱和电流是由二极管内得载流子决定得

因为反向饱和电流是由少子漂移形成,而少子是由热激发产生,浓度很低,（故温度升高时,少子浓度变大,电流当然变大）,当反向电压还不太高时,几乎所有的少子都参与导电,即电流饱和现象,（只有电压超过某一临界值

阁下算问对人了,因为反向电流是由少数载流子构成的,而“少子”很容易从外界获得能量而活跃起来,使反向电阻剧变,故其反向电流会随温度变化.

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

通常在微安级.1N4007实际测量结果在20～300微安之间.这项指标的名称应该是反向重复电流,试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压,测量其峰值电流值.