现有如下存储芯片:2k*1b

k=-1b=2

(1)kx+b=y即当y=0时,求x由表可得：x=2答：x=2（2）y=kx+b当x=0时,y=-2即：b=-2同理：当y=0时,x=2即：k=1得:kx+b=x-2x-2>0x>2答：x>2.(3)

（1）能设计成原电池的反应必须是能自发进行的放热的氧化还原反应，根据方程式知，B能设计成原电池，Cu失电子化合价升高而作负极，则不如Cu活泼的金属或导电的非金属作正极，氯化铁溶液为电解质溶液，该装置图

这个应该是分离一个固氮菌的液体培养基(培养基中没有氮源,如果菌不能固氮则无法生长),此菌应该有一定的产酸能力,碳酸钙应该为调节酸碱度,葡萄糖为碳源,磷酸氢二钾,硫酸钾,硫酸镁提供大量元素:钾,磷,镁.

原电池反应必须自发进行的放热的氧化还原反应，A中各元素在反应前后化合价不变，所以不是氧化还原反应，则不能设计成原电池，B中为自发进行的放热的氧化还原反应，所以能设计成原电池，故选B；该原电池中，Cu失

楼主,关于你的问题其实是一个存储器的字与位的扩展问题,答案同楼上一样,是16*8片,16是字扩展,8是为扩展,还有你说的16k*8位中的“位”与1K*1b中的“b”是一个意思,其实关于B与b的区别很多

你能准确的对应下0~19的值吗?012345678910111213141516171819E是数字几?A呢?说清楚,我告诉你再问：什么意思，我没看懂，你是说题目有错？再答：这个是个表，0~19有20

A：1024K个英文字母计算机存储信息的最小单位,称之为位（bit,又称比特）存储器中所包含存储单元的数量称为存储容量,其计量基本单位是字节（Byte.简称B）,8个二进制位称为1个字节,此外还有KB

2k+2b=-62k+b=-1>>>>>>>>>>>b=-5,>>>>>>>>>>>>k=2再问：我也是这么解的,可你看看此题:一次函数Y=KX+B的图象经过点(2-1)和(03),那么这个一次函数的

用平方差的公式可以推出来将两个式子对应相乘再用右边的答案除以1式的左边

1K*8需要8片；16K需要8*16=128片.采用译码器需要14根地址线；直接采用线选,每片需要一根片选线就是128,再加上片上译码的10根,共计138根地址线,所以必须加译码器.

可以存512个汉字官方标准：1汉字=2字节1字节（Byte)＝8字位＝8个二进制数1字位(bit)＝1个二进制数1B=8b1KB=1024B1MB=1024KB1GB=1024MB硬件商标准：1GB=

每两片并联成512*8bit,然后再以此并联4组,即4*2片

地址线A0~A9、数据线D0~D3,片选CS'接地址A10,A10=0,芯片选中,A10=1,芯片挂起.R/W是读/写选择,这些信号直接与实验箱的相应端子相接即可.图就免了.再问：实验的全部要求是：采

首先您的题目有错误,应该是64K吧,这里本人暂且给你改了.1、现有1024*1静态RAM芯片,欲组成64K*8位存储容量的存储器,需多少RAM芯片?多少芯片组?多少根片内地址选择线?多少根芯片选择线?

2k+b=1①-k+b=-3②①-②3k=4k=4/3把k=4/3代入①中得8/3+b=1b=1-8/3b=-5/3所以方程组的解为k=4/3,b=-5/3

2^12=4KB,SRAM需要12根地址线.DRAM地址分两次传送,一次行地址,一次列地址,所以最少要12/2=6根,但不一定只有6根,可以是48或210等.

额、、健身,放错地方了!（1）16K=2^14选c（2）选A容量1K,地址线10根；8位,数据线8根,VCC一根,GRD一根,加起来20根.

k-1/k²-4k+4÷1-k/k²-4=（k-1）/(k-2)²÷(1-k)/(k+2)(k-2)=(k+2)/(2-k)选C

16KX8=16X1K2X4,所以需要32个芯片,2个成一组,构成8位,共需16个片选,片内地址能寻址1K就可以了,所以需要10位片内地址线.