电荷体密度球体内外场强

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/10 18:27:09
电荷体密度球体内外场强
电荷密度与场强有什么关系?

有这样一个推导式,带电金属板两侧电场强度等于2乘圆周率乘静电力常量k乘电荷密度.再问:原来是这样!谢谢你们

设在半径为R的球体内正电荷均匀分布,电荷密度为p,求带电球体内外的电场强度分布和电势分布

由于正电荷均匀分布在球体上,所以电场强度有球对称性.设r为球心到某一场点的直线距离.根据高斯定理,ΦE=1/ε0∮q(∮q为高斯面内包含的所有电荷电量)对于球体,ΦE=E∮ds=4πr^2E所以1/ε

有均匀带电球体,半径为R,电量为q,求球内外场强

外面是均匀球壳便可以无视,所以内部就无视外侧的球壳,将内侧的球视为在圆心的点.在球外视为球心的点即可

一半径为R的带电球体,其电荷密度分布为qr/(πR^4)(r0),求球内外各点场强分布以及各点电势.

电荷密度分布是球对称的,可见球内外各点场强分布是球对称的,用高斯定理.电势积分.

关于场强分布的物理题在半径为R的球内,设其电荷分布对称电荷密度为KR,其K为正常数R为球心到球内外任一点位矢大小求带电球

高斯定理:∮DdS=∫ρdV球内:εE4pir^2==∫kr4pir^2dr=pikr^4E=kr^2/(4ε)球外:εE4pir^2=pikR^4E=kR^4/(4εr^2)

电荷Q均匀分布在半径为R的球体内,试求球内外电势

非金属,内外电势不等用高斯定理求解再问:咋个求啊再答:E*2pi*r^2=(r^3/R^3)*Q/e球内E*2pi*r^2=Q/e球外e是真空静电常数

求半径为R、电荷体密度为 、总电量为q的均匀带电球体的场强和电势分布.

这个题很简单啊,课本上应有推理过程.运用高斯定理,求解电场强度,然后再用积分求电势即可

设在半径为R的球体内电荷均匀分布,电荷体密度为p.求带点球内外的电场分布.

∵∮E·dS=E*4πr2另外,利用高斯定理,∮E·dS=1/ε*Σq当r=R时,E2=pR3/3εr2=q/4πεr2

厚度为d的无限大均匀带电平板,电荷体密度为p,求板内外的场强分布.

用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)

一带电球体,电荷体密度与球半径成反比,试证明球面上和球体内任一点的场强值相等

用静电场高斯定理来考虑.不是复杂问题.公式这里没有法子写出来,有积分符号.简单说一下,任意高斯面内电荷量计算中会产生一个半径的平方.左侧的面积积分也有半径平方,等式左右的两个半径平方项消除了.显然,场

求均匀带电球体挖出球形空腔的场强.球体电荷体密度为P空腔球心O' 和球体球心O距离为a

1.设未被挖时均匀带电球体在空腔所在位置处的场强,因为是均匀带点球体,直接采用高斯公式即可.2.再求出被挖去的球体在所求位置处的场强,同样利用高斯公式.3.将一和二求出的场强进行矢量相减即可得所求.

半径r的球体,电荷体密度为p,8等分,求其中一部分对球心的场强.如何用积分作?

你是怎么8等分的?至少有两种方式8等分,一种是沿着xy、yz、zx三个坐标平面各切一刀;一种是仅沿一个坐标轴,均匀旋转切八刀.请看图片!

一半径R的带电球体,其电荷体密度与半径的关系为p=Ar,A为常数.求球体内外的场强分布及球表面电势

楼主你太搞笑了,1.你积分积错了,2.你把几个量的字母搞混了改正方法:1&2.LZ的第一个式子,将积分上界换为r0LZ的第二个式子,将被积式换为dq/4πr0^2,将积分上界换为r0注意是r0!因为r

一个均匀带电球层,电荷密度为p,球层内表面半径R1,外表面半径R2,求空腔内外任一点的场强分布

高斯定理:∫Eds=Σqi    典型应用:利用E的分布对称性,合理选取高斯面,使高斯面上各点E的大小相等,面积分∫Eds就简化为ES,S为高斯面的面积.任意一

设在半径为R的球体内,其电荷分布是对称的,电荷体密度为p=kr(0《=r《=R),p=0(r>R),试用高斯定理求场强E

解:设以半径r做高斯面整个球体带电总量用积分q(总)=∫p*4π*r^2dr(积分限从0到R)=πKR^4.当r>=R时,E=q(总)/4π*ε0*r^2(此处ε0为真空介电常数)相当于整个电量集中在