硅光电池的暗伏安特性为什么一电压作为横坐标-搜答案-大师作文网

伏安特性曲线的斜率纵轴U横轴I 斜率代表电阻纵轴I横轴U 斜率代表电阻的倒数

这叫分压式,滑动变阻器的电阻相当于先与滑竿前一部分并联再和后一部分串联,所以并不等于电源电压,再说电源电压还有内阻呢,只能说有可能等于路端电压

采用内外接法的简易判断当R=VRA•RV时,内接法和外接法测电阻的相对误差相等；当R＞VRA•RV时,采用内接法测电阻产生的误差较小；当R＜VRA•RV时,采用上接

X轴输入接CH1Y轴输入接CH2选择方式：X—Y再问：第二幅图不是有三个接口么，中间那个接哪再答：左边第一个是CH1，第二个是CH2。再问：额，我说的是这个图。。。。。三个接口上下两个接CH1CH2，

伏安特性曲线是表示多少安的电流时（电阻改变电流）,电压是多少的一个曲线,

欧姆定律的适用范围是纯电阻电路也就是说电能全部是用来产生热能.过原点的直线那是说明电阻是个定值,电阻就是斜率K.小灯泡的电阻随温度的升高电阻变大,这个是电阻随温度变化的规律,这个变化跟欧姆定律无关的,

特性：线性变化U——I表示电阻RI——U表示电阻的倒数

可以.所说的“伏安特性”就是“输出特性曲线”.二极管通过加在其上的正、反向电压,且测量其每个电压下通过的电流,得出一一对应的电压/电流数值,在X-Y坐标上可绘出一条曲线.三极管是一簇曲线.（没空间写了

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件.它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路,当二极管的管芯(PN结)受到光照时,你就会看到

因为VBE加在三极管的基极与发射极之间的PN结即发射结上该PN结就相当于一只二极管因此三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似.满意请采纳

电池极板正对着太阳,测量短路电流值与电池的铭牌上的短路电流值相比较即可.

硅光电池的应用

硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件.它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成

根据欧姆定路：I＝V/R,取样电阻串联在输出电路上,一般为毫欧级,如10毫欧,通过测量它的压降,可以计算出流经它的电流,电压表的精度越高,测量的电压就越准确,计算出的短路电流就越精确.

采纳我

通过实验直接测得的光谱响应为外量子效率,其中计入了电池正表面的反射损失和背面的投射损失.可用辐射热源与液氮系统设计变温IV以及变温QE测试实验；可用调频激光测试IV与QE获得频率响应最简单

在一定的光照下,太阳电池产生一定的电流ISC,其中一部分是流过P-N结的暗电流,另一部分是供给负载的电流.故可把光照P-N结看作是一个恒流源与理想二极管的并联组合,恒流源的电流就是最大的光生电流ISC

是用来减少硅光电池表面光的反射.硅光电池表面还煎有一层一氧化硅地薄膜.把光的反射率30%-39%降低到7%.来提高转换效率.

由于pv装置不完全密封,可能有光线漏进,使得Voc显示不为零

你理解不正确.照度和短路电流的关系是一个指数增长,底是e.这题不应该考虑短路电流和内阻的关系.此题太阳能电池已经看做一个电流源,只是光强影响的是电流源的电流大小.具体的公式你可以参见半导体物理学相关内

一般做实验要有（1）实验名称；（2）实验目的；（3）实验原理；（4）实验电路图；（5）实验的步骤和方法；（6）实验结论；（7）老师评语；以上7步不知道你要那部分；这些都比较简单.“非线性电阻元件伏安曲