mos开关管并联的电容有什么作用

1,MOS管损耗比三极管小2,MOS管为电压驱动型,驱动电路比较简单,三极管为电流驱动型3,MOS管的温度特性要比三极管好

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

看来你要并联做什么用的了.一般都是滤泼和没有正好的溶值的电容而要并联增加他的总的容值.

可行的.S接VCCG接控制管脚,如果你是51类的单片机,最好在GS之间接一个上拉电阻.D就是受单片机控制了.高电平关断,低电平导通但你不能用它来控制单片机本身

这两个电容120个可以并联；用电流超过40A的大功率mos管；控制可以用简单的9v电压；控制极可以用另外一个电源.答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!再问：推荐一个mos型号吧要便宜要有几个mos并联再答

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵.三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因

MOS管,三极管属于两种不同类型管子,它们的区别在于,MOS管是单极性管子而三极管属于双极性管子,这个单极性和双极性的意思是来自于半导体内部载流子类型而区分出来的,所以单极性就是一种载流子而双极性就是

晶体管的输入电阻比较小,一般在K欧姆级别；等效电路是用电阻表示；MOS管的输入电阻比较大,一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路表示.

这个电阻的作用是提高可靠性.半导体器件处于截止状态时,并非断路,实际上是高阻态.如果器件连通电源,就会有漏电流通过.虽然漏电流常常可以忽略,但有时忽略它却可能导致不安全.以此图为例.Q1的基极可能与某

电容起降压作用,电阻的作用是在关断电源时对电容放电,以免不慎人体触及被电容内蓄的高电荷电击；若拿掉电容,将得不到所需的低电压,因为电阻值很大,约100K或以上.

——★1、三极管为电流控制元件,而mos管属于电压控制元件,驱动功率极低.——★2、三极管导通时,受PN结的限制,电压降约为0.035V,而mos管属于电阻性器件,导通时的电阻可以低到零点几欧,性能明

并联的作用是分流,串联作用是分压,电容并联的意义就是可以提供（吸收）更大的容性电流,即增大了容量,特别是在工业上无功补偿、滤波等场合,无功补偿的容量很大,更是需要电容并联了.

灯泡的亮度与灯泡的实际功率有关,实际功率越大灯泡就越亮.闭合后,灯泡慢慢变亮,直到正常发光.原因：因为灯泡与电容并联,灯泡两端的电压与电容两端的电压相等,开关闭合后电源对电容充电,电容电压逐渐升高,直

MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管

它有灭孤的作用,从而保护接触点不被烧蚀.容量大小根据线路中的自感电势的大小,一般在微法级.特别巨大的自感电势,还要采取更有效的措施,比如油浸开关.

正如“董事长老豆”所说,栅极电阻R是防止万一场效应管SG或DG击穿时,用来保护前面的PWM输出电路的.而R上并联的电容C的作用是：加速场效应电子电力开关的开通和截止,提高开关频率,减小管子损耗,不使管

当然可以,而且大部分是用于开关状态,MOS管用于放大的例子还真不多.如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区,不过MOS管的开关不是那么简单,在实际中,开启很容易,一般2-4V电

MOS是压控器件,三极管是电流控制器件,这是最主要的区别.MOS管导通电阻可以做得很小（豪欧级）,更适合做开关器件用.