mos的输入阻抗

第一级是三极管的话大至可以这样估算:基极上下偏和be的阻值(阻抗)他们并联后就是输入总阻抗,要注意的是,这里的基上偏与其他是并联关系,因为,作为阻抗来说电源是可视作短路的(通过滤波电容).要阻抗高一点

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

为方便用纯电阻来略加解释.    一个放大器的输入信号源和这个放大器的输出电压,都可以用图中虚线框起的部分来等效,即一个电压源和一个内阻的串联；而图中的电阻R可

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

一个电路如果电参数中提到“输入阻抗”就说明这个电路在使用的时候肯定要和其它电路进行连接,假设这个电路为甲,它与之相连的另一个电路为乙,甲的输入端与乙的输出端相连,这个时候,甲相对于乙来说是乙的负载,一

对于普通的共发射极放大电路而言,输入电阻的计算方法是首先算出BE结的等效电阻,rbe=rb+(1+β）26(mv)/Ie(ma)欧姆,知道了管子的β,和静态电流IE就可以算出rbe值.一般小信号放大器

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

当功放的输入端接入一定的信号电压u,则会流入一定大小的电流i,定义u/i＝r就是功放机的输入电阻.这个输入电阻r的具体意义就是功放机需要吸收多少信号源的电流,吸收的越少（也就是输入阻抗越大）,对前级信

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET（场效应管）构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,所以输入

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

Ub=Ib*rbe+Ie*Re=Ib*rbe+(1+beta)*Ib*Re=[rbe+(1+beta)*Re]*Ib又有U=R*I,所以看出来了吗?加上Rb,输入等效电阻就是Ri=Rb//[rbe+(

用电压串联型放大电路,输入电阻肯定满足你的需求,输出600欧是你的驱动器能够驱动600欧的负载,其实这个负载已经很轻了,输出级加一个射随器即可.再问：射随器？可是我要设计的电路是用集成运放来实现的，不

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

也不能说不用在意其功率啊,开关管导通或截止的时候有一个过程,这个过程的瞬时功率是比较大的,所以选开关管功率要有比较大的余量.再问：比如半桥开关电源，功率500w，那么选用大概多大功率的开关管？再答：半

阻抗比为圈数比平方88Ω再问：能具体说下步骤吗？谢谢！我电路学的不太好再答：2Ω×3^=18Ω18Ω+4Ω=22Ω22Ω×2^=88Ω

1、负载电流IL——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、MOS管最大允许工作温