MOS管中VGS控制

1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区）,恒流区（对应三极管的放大区）,夹断区（对应三极管的截止区）,还有一个击穿区（对应三极管的击穿区,属于电力电子内容）.2、MOS管的导通是一个过程

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

放大也可以但是不(A)低频更不可取.no（B）高频方面更不如三极管.也不是（C）至于饱和.MOS管有更低的内阻.所以（D）答案更适合.

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

N沟道MOS管（一般源极接地）,只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右）,便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道；这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流

简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.2、第三个式子是从第二个推导出来的.3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.（1）首先设定UDS

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

■这是一个用场效应管构成的稳压电源电路.左端是输入端,加进未经稳压的高电压,经过Q28输出后被R147和R148组成的分压器分成1/2的电压供给场效应管Q29.如果输出电压变高,Q29就更多地导通,于

缓冲电阻,针对栅极控制信号的.根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择,一般在4.7欧到100欧之间.一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值.想深入了解的话建议去看看IR公司的关于MOS驱动

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

实际使用的时候,要想使其可靠截止,尽可能将VGS保持0或反向电压,即N沟道,VGS≤0V,P沟道≥0V.再问：恩，但是我的应用中，截止时Vgs的电压1V--1.5V，这样能导通吗？还有就是为什么截止了

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还

占空比不变,频率降低,对于PWM波来说,输出的有效值并没有降低.MOS是电压控制器件,既然栅极的电压和电路其他器件没有变化,导通电流有什么理由变化呢?

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

这要你平时多留心观察了三极管国产的很好看型号定义功率但现在很少有国产的了即使国产也是进口标号了看个头吧比黄豆小的功率都小于1W大一点的带散热器的那种都大于10W放大倍数用数字万用表测就OK了二极管整流

万万不可!理解错了GS之间双向都是绝缘的如击穿就坏了,是物理击穿不可逆的.更无稳压作用可言,你所发现的情况一定菅内接有稳压二极管如一些MOSFET在D.S间用此法防击穿的型号是很多的再问：如果我要是像

MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启.在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的.沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但

是这样子的,电路有个参考点作为地,平时所说的电压都是相对于地做参考的,比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压.你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考.简单来说