mos管栅源级电压问题

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

Vgs代表开启电压

你用一个mos管是不能通断控制的,要么开不了,要么关不断.你前面一级要加个NPN的三极管,3.3V控制24V,再用这个24V去控制mos管.三极管电流不需要选大的,普通的就行了,mos管选个电流大点的

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

看看晶闸管的相关知识,晶闸管的整流、调压电路知识大体来说就是通过控制MOS管的通断来削波(交流电是正弦波,比较220V的市电,电压从0值一直变化到最大值,让交流电通过MOS管,比如需要110V的电压输

加一级光耦隔离.再问：光耦输出电流太小了，我的电流要20mA左右的，那个只有几毫安再答：TLP52150mA，如果还不够可以扩流。

RU7088R：VGS＝10V,VDS＝70V,ID＝40A,

要解释你的问题,首先要了解MOS管的工作原理.MOS管与一般晶体三极管是不同的.它是电压控制元件,它是栅极电压控制的是S-D极间的体电阻.在栅极施加不同的电压,源-漏极之间就会有电阻的变化,这就是MO

Gs电压很低啊,你说的是DS电压么

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

■这是一个用场效应管构成的稳压电源电路.左端是输入端,加进未经稳压的高电压,经过Q28输出后被R147和R148组成的分压器分成1/2的电压供给场效应管Q29.如果输出电压变高,Q29就更多地导通,于

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的,会击穿.再问：其次还应注意啥导师？

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos负0.8,过驱动电压为Vgs减Vth

MOS的阈值电压是一个范围值的.一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V.当然还要考虑温度的影响,随着温度升高阈值电压会降低.这

都说导通~那么DS间的电阻就是为0欧姆,根据欧姆定律,U=IR,如果R=0,那么U=0,所以MOS导通时DS之间的电压接近于0

如果你想通过调节VGS电压,来控制沟道电流Id,建议你选用耗尽型场效应管.控制电压0－6V；开关型MOSFET才有开通电压VT一说,开关型MOSFET不适合你的应用.你提的问题,电脑有字数限制,几句话

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=2SC5353&lang=en&type=datasheetDatasheet在这里了,看不懂

也不能说不用在意其功率啊,开关管导通或截止的时候有一个过程,这个过程的瞬时功率是比较大的,所以选开关管功率要有比较大的余量.再问：比如半桥开关电源，功率500w，那么选用大概多大功率的开关管？再答：半