MOS管的额定功率怎样算

看什么拓扑了,反激电路100W左右吧,正激200W以下,半桥可以做300W,全桥可以500-600W,和变压器以及做的人、输入电压=====有关.

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

比较复杂,开关管的损耗的计算也非常复杂,只有经验公式没有具体的数学公式,开关管的损耗一方面分为导通损耗,因为开关管的导通是有电阻的,而且此电阻受温度影响也特别大,所以不好计算,而在开关管损耗中占最大比

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

除了灯管的额定功率消耗、还需加上镇流器的消耗.

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

放大也可以但是不(A)低频更不可取.no（B）高频方面更不如三极管.也不是（C）至于饱和.MOS管有更低的内阻.所以（D）答案更适合.

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

在导通情况下,用万用表测量电阻值是不准的.根据戴维南定理,二端口网络的电阻是两个支路电阻的并联值.因此,要串个万用表测电流,在导通情况下,再使用另一个万用表测量其Vds.电阻等于电压除以电流.当然,这

你都说了在额定电压下,那只要保证电压不变,你可以并联一个滑动变阻器,就ok了

在选型MOS的时候,一定要看准你所需要的耐压、过流大小,电压并不是范围越大越好,盲目选择同类的高电压MOS会导致热耗增大!MOS是电压驱动型器件,为了增大MOS的耐压值,在工艺上会将导通内阻增大,这样

作用一样都是信号触发引起电流导通区别：三极管导通电流大,开关频率低mos管导通电流小,开关频率高.另外由于mos管的结构,使之自带一个反向二极管.

型号4N65种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型开启电压1（V）夹断电压1（V）

在已知额定电压相同的前提下：1、测量灯丝电阻,电阻小的功率大.2、看灯丝,灯丝粗短的功率大.

三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条：1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流.BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm；2、BJT线性较差,FET线性较好

Roquet齿轮单泵的1L22DA*B的排列为14.6cc/rev,齿轮泵的额定功率P=p*q*η*η=250X14.6X1500X0.9x0.85（总效率）=9.661765KW再问：强啊！您知道类

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

1、负载电流IL——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、MOS管最大允许工作温