NPN三极管 Ic=K*Ib

如果集电极接有负载电阻,饱和时基级电流仍然流向发射级,仍然是Ie＝Ib+Ic.如果集电极不接电源（通常作为衰减式电子开关用）时,集电极一般有隔直流电容,此时集电极没有静态电流.

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

对于npn晶体管,发射极电流包括有注入到基区的少数载流子——电子的扩散电流,以及从基区注入到发射区的空穴的扩散电流（这是基极电流的一部分）.当发射结电压增大、使基极电流增大的同时,从发射区注入到基区的

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

三极管的作用是用输入回路端的一个小电流控制输出回路端的一个大电流,体现在两个不同回路的控制作用,就像你第一个问号之前描述的那样.但是你问的一根导线加一个电压使导线电流增加的现象是发生在同一个回路的事件

ΔIc/ΔIb表示集电极电流的变化量与基极电流的变化量.β是三极管的共射极电流放大系数,有些管子60-80,有些150左右等等,三极管具有电流放大能力,就是说,基极电流的少许变化引起三极管集电极电流较

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地）,那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V,

饱和区与放大区临界点~

1：稳压二极管按材料分为硅管锗管.(对)2：某晶体管体三极管的IB=10uA时,Ic=0.44mA；当IB=20uA时,Ic=0.29mA则它的电流放大系数β=45(错)3：变压器也能把电压升高,变压

Ib=(10v-0.7v)/Rb=9.3/200K=0.0465mAIc=βIb=50*0.0465=2.325mAUce=10v-Ic*Rc=10v-6.975v=3.025vUce>Ube=0.7

hfe=2

Ie=Ic+Ib是永远满足的,但是Ic=βIb则只有在三极管处于放大区域内才能满足,当三极管进入饱和状态时是不满足Ic=βIb的.这和是否处于静态、是否为共发射极电路都没有关系.即使是共基极电路,只要

3.B4.A7.不清楚图,是不是原来是134串联后再与2并联?ab是路端电压?若是的话简单的三分电压就是了,8V再问：第三题你是怎么算的？再答：采用串联分压计算方法，实际上就是欧姆定律：I=U/（3R

ib增大的原因是ube上升,即发射结正偏电压升高,必然使ie增大（比ib增大的量大得多）,所以

当不考虑少子运动时,Ic=βIb,当考虑少子运动时Ic=βIb+Iceo.不过少子非常少可忽略不计,其实在实际中β是通过测量出来的,为了精确一点就把少子算进去,形成一个较为精确的式子.这是我个人的理解

即在Uce恒定不变时,Ib是Ube的函数；Ib恒定不变时,Ic是Uce的函数.工作在线性区时,有Ic=β*Ib,Uce=Vcc-Ic*Rc.最直观的解释是三极管的输入、输出特性曲线.

Ib=Ic/B=2/50=0.04mAIe=Ic+Ib=0.04+2=2.04mA再问：叙述如何用万能表检测三极管的管型和基极

进入饱和后Ic不受ib的控制了,晶体管不具有放大作用.Ube=0.6-0.7v、Uce

Ic=β*Ib,Ie=Ic+Ib.

ie=ic+ib,是这么理解的,我们以NPN为例,电流流向是b-->e和c-->e两条通路,实际上b、c是没有直接连在一起的,所谓的放大β倍电流,只是说明两者存在的数量上关系,ic的能量来源是来自于电