NPN处在截止状态时UCE大于零对吗

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问：但书上写着Ub

截止放大

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

看你npn的发射极和pnp的集电极接了什么嘛他们接了什么就是什么相当于把三极管拿掉不要去管什么高阻态再问：。。。。。，我需要高阻态，在截止状态下是否为高阻态喔~？再答：不是高阻态“高阻态输入下一级电路

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

因为减小RB电阻,会使静态工作电流增大,最好检查距离饱和区还有多远,如过有段距离,可采用减小负载电阻,或改变负反馈的发射极电阻,总之,原则是在最大输出不失真幅度下,尽可能减小静态电流,可减小功耗和噪声

NPN:c,b,e截止：VbVe,VcVB>Ve电流方向：b->e,c->ePNP管反过来即可.

看工作点靠近哪个截止区还是饱和区,

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大