S90|4晶体管哪个是基极发射极

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/11/16 13:11:27
S90|4晶体管哪个是基极发射极
测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示,在圆圈中画出晶体管,并分别说明它们是硅管还是锗管.(发射极E,基极B,集电极

三极管放大状态:Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V)NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

三极管开关电路.三极管.ACC控制里.原本三极管是基极没有电压.集电极是13v.发射接地.基极电压0.6v的时候为什么集

你说的电路中,集电极应该是通过一个电阻接Vcc的.基极电压0.6v的时候,be节正偏,cb节反偏,三极管饱和导通,作用就相当于一个开关,ce之间认为电阻很小,此时电流会较大,Vcc的电压就全分在电阻上

模拟电子电路中,瞬时极性法,为什么晶体管的基极为正,集电极就为负?

我是这样认为的,你说的应该是集电极输出电路,以NPN管为例,这种电路的特点是在集电极C和电源+E之间要接入一个电阻,通常我们称这个电阻为集电极负载电阻,当基极为正时(由0到正),因为三极管的放大作用,

电阻分压时怎么为晶体管基极提供偏置电压呢?比如这个R2分压,基极是怎么获得工作电压的呢?

npn三极管需要一个约0.7v偏置电压(基极对射极),所以R2/(R1+R2)xE>=0.7v就可以提供偏置电压令三极管(C-E)导通.再问:乘的那个E是什么再答:E是图右上角的+E,一般+E等如供电

晶体管是干什么的

电路的电压放大少不了它.

TTL与非门电路中,反相器晶体管,输入输出反相,基极电源是直流电Vcc,输入输出反相是指大小?还是正负?

逻辑电路的两种状态啊,0或1,输入输出反相,那么输入0则输出1,输入1则输出0

为什么可以通过在NPN晶体管的发射极加电阻的方式抬高晶体管的基极电位?

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压(约为0.8V);当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压(仍然约为0.8V)再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

晶体管的偏置电路晶体管下偏置电阻开路怎么会导致基极电流过大,想听听各位网友的理解

正常单个偏置电阻,串在be极上,不会有这样的问题,只会没有偏置电流.你说的情况,可能是并在be极上的电阻,起到分压作用.如果开路,分压作用没了,自然基极电流就会比正常情况大.

测量晶体管基极电流可以直接用普通的万用表吗

用万用表直接测基极电流,虽说可以,但测试的结与实际工作电流是有差别的,其原因是因为万用表本身有电阻,当把万用表接入电路,就改变了电路的实际工作状态.用不同档位测试结果不同也是这个原因,因万用表的不同档

三极管的共极性的判断关于三极管的电路,是共发射,共集电还是共基极的判断标准是什么

判断这个有个最简单的方法,那就是看这个三极管在电路中哪一端是直接接地的,如发射极直接接地就是共发,集电极直接接地就是共集,基极直接接地就是共基.你可以看一下书上的图基本都是这样的,我上学是就是这样判断

NPN晶体管 发射极电位大于基极电位,基极电位大于集电极电位,晶体管处于什么状态

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下:NPN硅管:当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态;当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管:当发射极电位比基极高0.1

怎样通过三极管中各个极之间的电压判断它哪个是基极,发射极,集电极,PNP还是NPN

一般指的是放大状态NPN:Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP:Vc

在基本共射放大电路中,为什么发射结电阻上流过的是基极电流而不是发射极电流?

我认为流过发射极电阻的电流是基极电流与集电极电流之和.

晶体管的基极-发射极电阻rbe是由rbb算出来的,但是rbb在晶体管的datasheet中没有给出,怎样得到这个值?

这个值用处不大,一般看作200就行.或者看Vbe-Ib曲线,取静态工作点处的切线斜率.我做三级管放大电路的时候,尽量避免rbb、hfe之类的参数对电路的影响,因为就算是同一型号的三级管,个体之间也有差

晶体管工作时,集电极与发射极电压Uce是随基极电流Ib变化的.

首先纠正你的说法:“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的:是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端

晶体管放大中为什么集电极的电压要大于基极电压

集电极电压大于基极,才能把电子从晶体管的发射极极运送到集电极极,实现小信号放大,如果集电极电压低于基极,发射极的电子全部通过基极而不进入集电极,晶体管就失去了放大作用