Vgs=Vds,MOS二极管

仙童2N7000BU/2N7000TAFDV303N（耐压25V）

1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区）,恒流区（对应三极管的放大区）,夹断区（对应三极管的截止区）,还有一个击穿区（对应三极管的击穿区,属于电力电子内容）.2、MOS管的导通是一个过程

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

MOSFET的反并二极管,是一个普通二极管!且只能当作普通二极管使用.boost电路,一般要选用开关二极管,快恢复型二极管.BOOST电路,使用普通二极管,输入电流肯定要上升一倍多,这是因为普通二极管

快恢复二极管压降比较大比如0.7V,MOS管里寄生那个好像压降小一些.另外用MOS管代替二极管,MOS管要同步开关,就是同步整流器,你的同步信号如何得到呢.再问：我就把MOS反过来当成二级管用不行么？

N沟道MOS管（一般源极接地）,只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右）,便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道；这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流

几句话就能说懂.二极管不解释,三极管开关工作时工作在饱和状态,此时需要Uce

PMOS管导通的情况,跟NMOS管相反.

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.2、第三个式子是从第二个推导出来的.3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.（1）首先设定UDS

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

实际使用的时候,要想使其可靠截止,尽可能将VGS保持0或反向电压,即N沟道,VGS≤0V,P沟道≥0V.再问：恩，但是我的应用中，截止时Vgs的电压1V--1.5V，这样能导通吗？还有就是为什么截止了

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还

在开关电源中,通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管（应该还要串一电容）至电源的正极.此电路是缓冲电路,吸收电路尖峰,避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏.在不

它的名字叫二极管接法,但是并不是像二极管一样具有整流特性,它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子,就表现出一个小电阻似的小信号特性.原理上来讲,由于漏极和栅极相连,使得一定有Vds>Vgs-Vth,

那有这样问的二极管的性质是加正向电压时导通加反向电压时截止在电路中也就是其一个单向导电的作用

沟道被耗尽层切断以后,由于耗尽层的电阻远大于沟道电阻,所以Vds电压增加部分几乎全部加在了耗尽层上,导电沟道上的电压几乎不变,所以Id几乎不变.

加在电阻上的电压为：2-0.7=1.3V流过电阻的电流I=1.3/500=2.6mA.

万万不可!理解错了GS之间双向都是绝缘的如击穿就坏了,是物理击穿不可逆的.更无稳压作用可言,你所发现的情况一定菅内接有稳压二极管如一些MOSFET在D.S间用此法防击穿的型号是很多的再问：如果我要是像

驱动电阻主要是让MOS导通稍微变慢,以免过驱动,这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题,并联一个电阻是加速截止,降低MOS的关断损耗.

是这样子的,电路有个参考点作为地,平时所说的电压都是相对于地做参考的,比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压.你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考.简单来说