一个厚度为d的含正离子的无限大平行气体层
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/10/08 22:18:56
丁二烯它的自由基正离子===》未偶电子主要在1,4位上;它的自由基负离子===》未偶电子主要在2,3位上;--------------------------------是否问的是环戊二烯"基"正离子
无限大的均匀带电平板A周围的电场强度是E=σ/ε(运用高斯定理可得).而B板和A板将在静电引力作用下产生静电感应,即远离A板的那面电荷为零,与A板对应的那面和A板上一样,但方向相反!想一下电容器就能明
高斯定理做外面是pd/2ε0里面距离中心层x位置差场强px/2ε0
首先要理解电通量的定义,通过某一曲面的电通量=场强和面积元点积的遍及被考虑曲面的面积分,也即=垂直于某一面积元的场强法向分量与面积元乘积的积分.清楚了定义后,针对题目画个图.任意划出一条电场线,中间有
1.(1)E=0;;(2)薄层内与其表面相距0.1m处的电场强度E=ρd/2ε0=(10^(-4)*0.3*10^(-2)/2*8.85*10(-12)=1.695*10^(-4)V/m3)薄层外的电
宇宙中物质大爆炸初始于一个密度最大,体积最小的一个由电磁波组成的奇点.
CH3+>CF3CH2+>CF3C+因为F的强吸电子作用,而且吸电子的强弱同碳正离子的距离有关系
用e0表示真空的电容率气体层外E=ph/2e0气体层内E=px/e0x是气体层内某一点到气体层内中央对称面的距离!
D为碳正离子机理.ABC均为自由基反应.烯烃和氢卤酸的加成反应,在酸性条件下都是碳正离子机理,但在过氧化物存在的条件下为自由基反应(反马氏加成);和卤素或卤素的替代物(如NBS,NCS,NIS)在高温
如下选取矩形环路:矩形所在平面和电流方向垂直,矩形高度上下边和导体板上下平面平行并分别在上下边的两侧,距离上下平面相等,矩形宽度w对矩形上下边和左右边上的B矢量进行分析,由对称性可知,导体外任意点,B
臭小子.谁谁谁以前还称自己化学高手.现在这都不知道.白混了.问我借高中化学书来看!
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
用高斯定理∫E·dS=q/ε建坐标,平板中心处x=0在内部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*2*x*ΔS/ε,E=ρ*x/ε在外部做一个柱面,EΔS+EΔS=ρ*b*ΔS/ε,E=ρ*b/(2ε)
碳正离子连吸电子基团肯定不稳定,连有电负性大的基团要具体情况具体分析.氯素的共轭效应确实是给电子,你所说的拉电子是诱导效应,这是两种完全不同的电子效应,不要混淆了.
电荷面密度为p*d,电场强度应用高斯定律∮E.ds=∑q/ε0构建一个关于平板对称的圆柱高斯曲面,故E=σ/2ε0,U=∫E.dl=σ.r/2ε0,(其中r是距平板的距离.)
进入三维建模模式选择圆柱体命令或者在命令行输入:_cylinder,回车选择地面圆心命令行输入地面圆半径100,回车输入高度20,回车ps:圆柱只有两个参数,地面半径和高度,不知道你说高度20,厚度1
如图,离子从D处进入磁场做匀速圆周运动,设半径为r,离子初速度为v0,洛伦兹力提供向心力,则有:qv0B=mv0r,画出粒子的轨迹,由几何关系得:d=r+rcos60°.所以DC圆弧对应圆心角θ=12
A.N5+共有34个核外电子,故A正确;B.N5+中氮原子间以共价键结合,故B错误;C.N5+带一个单位的正电荷,F显-1价,根据化合价代数和为零,AS化合价为+5价,故C错误;D.化合物N5ASF6