扩散运动中空穴是不是真的从P区移到N区了?

来源：学生作业帮编辑：大师作文网作业帮分类：物理作业时间：2024/11/12 04:55:55

不是的.只有电子的流动与转移.
p型半导体是“缺”电子的半导体,载流子为“空穴”.N型半导体是“富”电子的半导体.电子为载流子.
上面说的“缺”电子或者“富”电子,是相对于硅（或者锗）元素来说的.硅（锗）元素原子最外层有4个价电子.需要与其他原子的4个价电子形成共价键,达到8个价电子的稳定结构.如果,往硅中掺入少量磷,磷有5个价电子,用4个价电子与硅形成共价键,还“富余”一个电子,这一个电子,不参与形成共价键,可以自由“流动”,这种掺杂的硅（或者锗）就是N型半导体,整体上,N型半导体是呈现电中性的.
而如果往硅（或者锗）中掺入只有3个价电子的元素,比如硼或者镓,他们只有3个最外层电子,全部与硅形成共价键,还缺一个电子.在缺电子的那个共价键位置上就好像有一个“空穴”,这种硅（或者锗）就称为空穴型半导体,整体上,P型半导体也是呈现电中性的.
如果把P、N两种半导体结合到一起,由于一个“富”电子,一个“缺”电子,那么电子就由N型半导体流向P型半导体,这个过程中,由于电子的流入补充了“空穴”,P型半导体中的空穴就好像流到了N型半导体中.这样,N型半导体就呈现正电,P型半导体呈现负电,那么在P、N半导体中间就形成了一个电场：N型那边电势高,P型那边电势低,电场强度达到一定数值,将阻止电子继续向P型那边流动,达到了静电平衡.这种半导体结构就是PN结,PN结具有单向导电性.是半导体的基础.

在pn结中电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? PN结的反向电流成分主要是什么?在正偏PN结中的N区,电子进入P区形成的是不是电子空穴复合? 在模电中,关于pn结的其中一个问题：P区是空穴多,空穴带的是正电,应该显正电,为何图中带负电；N区反之扩散运动的原动力是什么?PN结中N结中的电子扩散到P结中的动力是与P结的电磁力还是与N结内电子互斥力或两关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯有关分子动理论下列说法中,正确的是A从布朗运动看到了水分子的运动B扩散现象说明了物质分子在运动请大侠帮我分析一下,pn结中,小注入时,电子（空穴）在五个区域中的运动情况（分析漂移与扩散的方向及相对大小.）为什么PN结加正电压时,空间电荷区,空穴运动产生的电流会比电子运动产生的电流大? PN结的扩散电流,N区向P区电子浓度的原因朝一个方向流,为什么反方向是扩散电流的方向?原因? 三极管中电子和空穴如何运动为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失?不是被负极的电子都填补了吗? PN结电荷区不是因为扩散运动形成的,加正电场扩散变强了,电荷不是变多了,为什么还变窄了?