霍尔元件(不含放大电路),输出电势在毫伏级,限制因素是什么?可不可以通过增大磁场使其输出伏级电势?
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/11/12 23:31:23
霍尔元件(不含放大电路),输出电势在毫伏级,限制因素是什么?可不可以通过增大磁场使其输出伏级电势?
若将霍尔元件输出线绕在开缝隙的铁环上,即使电流为mA级,缝隙中磁场也很容易到达T级,这样再放一个霍尔元件可以输出V级电势吗?如果我只是需要V级的信号可以用这种方式吗?
若将霍尔元件输出线绕在开缝隙的铁环上,即使电流为mA级,缝隙中磁场也很容易到达T级,这样再放一个霍尔元件可以输出V级电势吗?如果我只是需要V级的信号可以用这种方式吗?
霍尔元件的输出电压VH=RH*I*B,RH为霍尔系数,I为激励电流,B为磁场.
一般的GaAs霍尔元件对激励电流有限制,不大于10mA,典型为1mA,一般很难达到V级,除非磁场很高,例如10000G以上.
再问: 10000G到达伏级会对霍尔元件有损坏吗?否则为什么要用复杂的放大电路,直接将输出线绕在开缝隙的铁环上,即使电流为mA,缝隙中磁场也很容易到达T级,这样岂不是再放一个霍尔元件就可以输出V级电势?如果我只是需要V级的信号可以用这种方式吗?
再答: 线性度下降 1T磁场要产生1V需要大一点的电流激励,造成发热,霍尔片温漂很大
一般的GaAs霍尔元件对激励电流有限制,不大于10mA,典型为1mA,一般很难达到V级,除非磁场很高,例如10000G以上.
再问: 10000G到达伏级会对霍尔元件有损坏吗?否则为什么要用复杂的放大电路,直接将输出线绕在开缝隙的铁环上,即使电流为mA,缝隙中磁场也很容易到达T级,这样岂不是再放一个霍尔元件就可以输出V级电势?如果我只是需要V级的信号可以用这种方式吗?
再答: 线性度下降 1T磁场要产生1V需要大一点的电流激励,造成发热,霍尔片温漂很大
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