(2012•杭州模拟)如图所示,A、B为不同金属制成的正方形线框,导线粗细相同,A的边长是B的2倍,A的密度是B的1/2
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/11/11 03:34:04
(2012•杭州模拟)如图所示,A、B为不同金属制成的正方形线框,导线粗细相同,A的边长是B的2倍,A的密度是B的1/2,A的电阻是B的4倍.当它们的下边在同一高度竖直下落,垂直进入如图所示的磁场时,A框恰能匀速下落,那么;(1)B框进入磁场过程将作______运动(填“匀速”“加速”“减速”);(2)两线框全部进入磁场的过程中,A、B两线框消耗的电能之比为______.
(1)设A线框的边长为L,电阻为R,密度为ρ,截面积为S,则
A线框进入磁场后所受的安培力大小为 FA=
B2L2v
R,重力为GA=mAg=ρ•4LS,A框进入磁场后匀速运动,重力与安培力平衡,则
B2L2v
R=ρ•4LS,得B2Lv=4ρRS
对于线框B,进入磁场后所受的安培力大小为 FB=
B2(
L
2)2v
1
4R=
B2L2v
R,重力为GB=mBg=2ρ•4•
1
2LS=4ρLS
可见,FB=GB,则重力与安培力也平衡,故B框进入磁场过程将作匀速运动.
(2)两线框全部进入磁场的过程中,线框消耗的电能等于重力势能,则
A、B两线框消耗的电能之比为mAgL:mBg•
L
2=ρ•4LS•L:4ρLS•
L
2=2:1.
故答案为:匀速,2:1.
A线框进入磁场后所受的安培力大小为 FA=
B2L2v
R,重力为GA=mAg=ρ•4LS,A框进入磁场后匀速运动,重力与安培力平衡,则
B2L2v
R=ρ•4LS,得B2Lv=4ρRS
对于线框B,进入磁场后所受的安培力大小为 FB=
B2(
L
2)2v
1
4R=
B2L2v
R,重力为GB=mBg=2ρ•4•
1
2LS=4ρLS
可见,FB=GB,则重力与安培力也平衡,故B框进入磁场过程将作匀速运动.
(2)两线框全部进入磁场的过程中,线框消耗的电能等于重力势能,则
A、B两线框消耗的电能之比为mAgL:mBg•
L
2=ρ•4LS•L:4ρLS•
L
2=2:1.
故答案为:匀速,2:1.
例8、 如图所示,在一个匀强磁场中,有两个用粗细相同的同种金属导线制成的闭合圆环a和b,它们的半径之比为2:1,线圈平面
有长度相同,质量相同,材料不同的金属导线A、B各一根.已知A的密度比B的大,A的电阻率比B的小.则A、B两根导线的电阻为
如图所示,将粗细均匀直径相同的两根棒A和B粘合在一起,并在粘合处悬挂起来,恰好处于水平平衡.如果A棒的密度是B棒的2倍,
3条同种材料制成的导线ABC ,A比B长C与B等长,A与B的粗细相同,C比B粗,设3条导线的电阻为RA,RB,RC.在相
如图所示,abcd是由粗细均匀的电阻丝制成的正方形线框,导线棒MN是由相同电阻丝制成 ...我问一下第7题.
有AB两个质量相等的立方体,A的边长是B的边长的2倍,则A的体积是B的( )倍,A的密度是B的( )
用相同材料制成的圆柱体A和B,已知A的高度是B的高度的4倍,B放在水平的地面上,A放在B的正中央,如图所示,若A对B的压
有长度相同,质量相同,材料不同的金属导线A、B各一根.已知A的密度比B的大,A的电阻率比B的小.则A、B两
如图所示,质地均匀粗细相同的实心圆柱体A、B放在水平地面上.已知他们的密度之比为ρA:ρB=1:2,对地面
如图所示,一条阻值为R的粗细均匀的电阻丝弯成正方形,B是一条边的中点,则A、B间的阻值为______.
将等体积的金属A和金属B制成合金的金属球,若已知两金属的密度分别为ρA和ρB,则合金球的密度ρ是______.
如图所示的直筒形容器的底面积为100cm²,筒内有用密度不同的材料制成的a,b两实心球。已知a球的体积为80cm³,是b