大师作文网以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
来源：学生作业帮 编辑：大师作文网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/11/16 07:17:56
以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与 VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线
由题知,k,b异号
设y=kx+b交CB于D,交OA于F,则当y=4时,kx+b=4,可得x=(4-b)/k,所以D的坐标为（(4-b)/k,4）,亦可得E（-b/k,0),则CD=(4-b)/k,OE=-b/k,所以四边形CDEO的面积为
（（(4-b)/k+（-b/k））*4）/2,又四边形OCBA的面积为（4+6）*4/2=20,四边形CDEO的面积为四边形OCBA的面积的一半,所以四边形CDEO的面积为10,即：
（（(4-b)/k+（-b/k））*4）/2=10,
得b=(4-5k)/2,所以要看k的取值范围,若k的取值范围仅为不等于0的任意实数,则b的取值范围就为满足b=(4-5k)/2的一切实数
换句话说,就是若k不等于0,则b不等于2
设y=kx+b交CB于D,交OA于F,则当y=4时,kx+b=4,可得x=(4-b)/k,所以D的坐标为（(4-b)/k,4）,亦可得E（-b/k,0),则CD=(4-b)/k,OE=-b/k,所以四边形CDEO的面积为
（（(4-b)/k+（-b/k））*4）/2,又四边形OCBA的面积为（4+6）*4/2=20,四边形CDEO的面积为四边形OCBA的面积的一半,所以四边形CDEO的面积为10,即：
（（(4-b)/k+（-b/k））*4）/2=10,
得b=(4-5k)/2,所以要看k的取值范围,若k的取值范围仅为不等于0的任意实数,则b的取值范围就为满足b=(4-5k)/2的一切实数
换句话说,就是若k不等于0,则b不等于2