(2012•葫芦岛模拟)如图,在倾角为θ的光滑斜面上,存在着两个磁感应强度大小为B的匀强磁场,磁场的宽度MJ和JG均为L
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(2012•葫芦岛模拟)如图,在倾角为θ的光滑斜面上,存在着两个磁感应强度大小为B的匀强磁场,磁场的宽度MJ和JG均为L,一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框,由静止开始沿斜面下滑,当ab边刚越过GH进入磁场区时,恰好以速度 v1做匀速直线运动;当ab边下滑到JP与MN的中间位置时,线框又恰好以速度v2做匀速直线运动,从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,线框的机械能减少量为△E,重力对线框做功的绝对值为W1,安培力对线框做功的绝对值为W2,下列说法中正确的有( )
A.v2:v1=1:2
B.v2:v1=1:4
C.从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,W2等于△E
D.从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,线框动能变化量为W1-W2
A.v2:v1=1:2
B.v2:v1=1:4
C.从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,W2等于△E
D.从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,线框动能变化量为W1-W2
A、B当ab边刚越过GH进入磁场区时,线框中感应电动势为E1=BLv1,ab边所受安培力的大小为F1=
B2L2v1
R,由平衡条件得,F1=mg,则有v1=
mgR
B2L2;当ab边下滑到JP与MN的中间位置时,线框中感应电动势为E2=2BLv2,线框所受安培力的大小为F2=2BL
2BLv2
R=
4B2L2v2
R,由平衡条件得F2=mg,则有v2=
1
4•
mgR
B2L2,则得到,v2:v1=1:4.故A错误,B正确.
C、从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,根据功能关系得到,金属框的机械能减小转化为电能,而产生的电能等于金属框克服安培力做功,所以W2等于△E.故C正确.
D、从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,重力与安培力对线框做功,根据动能定理得,线框动能变化量等于W1-W2.故D正确.
故选BCD
B2L2v1
R,由平衡条件得,F1=mg,则有v1=
mgR
B2L2;当ab边下滑到JP与MN的中间位置时,线框中感应电动势为E2=2BLv2,线框所受安培力的大小为F2=2BL
2BLv2
R=
4B2L2v2
R,由平衡条件得F2=mg,则有v2=
1
4•
mgR
B2L2,则得到,v2:v1=1:4.故A错误,B正确.
C、从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,根据功能关系得到,金属框的机械能减小转化为电能,而产生的电能等于金属框克服安培力做功,所以W2等于△E.故C正确.
D、从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中,重力与安培力对线框做功,根据动能定理得,线框动能变化量等于W1-W2.故D正确.
故选BCD
如图所示,在倾角为θ的光滑斜面上,存在着两个匀强磁场,磁场Ⅰ垂直斜面向上、磁感应强度大小为B,磁场Ⅱ垂直斜面向下、磁感应
一题磁场题目的疑问? 在如图所示的倾角为θ的光滑斜面上,存在着两个磁感应强度大小均为B的匀强磁场
在倾角为θ的斜面上固定两根足够长的光滑平行金属导轨PQ、MN,相距为L,导轨处于磁感应强度为B、范围足够大的匀强磁场中,
如图,宽度为L=0.5m的光滑金属框架MNPQ固定于水平面内,并处在磁感应强度大小B=0.4T,方向竖直向下的匀强磁场中
将倾角为θ的光滑绝缘斜面上放置在一个足够大的,磁感应强度为B,方向垂直纸面向里的匀强磁场中,一个质量为m,带电量为-q的
如图所示,将倾角为θ的光滑绝缘斜面固定于水平面上,置于磁感应强度为B的匀强磁场中,
如图所示,一个足够长的绝缘光滑斜面,倾角为θ,置于匀强磁场中,磁感应强度为B,
在相互垂直的匀强电场和匀强磁场中,有一倾角为θ,足够长的光滑绝缘斜面,磁感应强度为B,方向垂直纸面向外,电场方向竖直向上
在真空区域有宽度为L,磁感应强度为B的 匀强磁场,磁场方向如图,MN、PQ是磁场的边界,质量为m,电荷量为
一个质量为m的小滑块,带正电荷量为q放置在倾角为30的斜面上(斜面绝缘)斜面置于磁感应强度为B的匀强磁场中,方向垂直斜面
在光滑的水平地面上方,有两个磁感应强度大小均为B,方向相反的水平匀强磁场,如图所示,PQ为两个磁场的边磁场范围足够大.一
如图所示,在光滑水平面上方,有两个磁感应强度大小均为B、方向相反的水平匀强磁场,如图所示,PQ为两个磁场的边界,磁场范围