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晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol,Si-Si键能是17

来源：学生作业帮 编辑：大师作文网作业帮 分类：化学作业 时间：2024/11/17 13:08:47
晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol,Si-Si键能是176KJ,Si-O键能是460KL,O=O键能是498.8KJ,一摩尔硅含有两摩尔Si-Si键,一摩尔二氧化硅含有四摩尔SI-O键,为什么这反应会是放热反应,放热反应的反应物键能不是应该比生成物高吗,这个怎么不是
晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol,Si-Si键能是17
“放热反应的反应物键能不是应该比生成物高吗”,你的这句话是错的
键能是破坏1mol化学键所需的能量,因此有：
△H=反应物键能-生成物键能
只有生成物键能大于反应物键能时,△H才小于0,即为放热反应
对于这一题,△H=176*2+498.8-460*4=-989.2kJ/mol,毫无问题
再问： 一语中的！
再问： 太给力了，你的回答完美解决了我的问题！
再问： 额，不对啊，焓变是一个状态函数，状态函数都是末态减初态，应该是生成物减去反应物才对吧
再问： 焓是与内能有关的物理量，如果是放热反应，系统的内能应该减小，焓变应该是负值，本方程式就是一个放热反应，按理说，生成物的能量要小于反应物的能量
再答： 你貌似是认为键能越高能量越高，这是错误的认识。我已经说过，键能是破坏1mol化学键所需的能量，因此键能越高意味者物质越难分解，也即该物质能量更低，更稳定。
晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol,Si-Si键能是17 晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si（s）+O2(g)=SiO2 △H=-989.2kJ/mol 晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si(s)+O2(g)=SiO2(s)； = 晶体硅在氧气中燃烧的热化学方程式为Si(s)+O2(g)=SiO2(s)； = -989.2/kJmol-1,则X的值为 si(s)+O2(g)=SiO2(g),ΔH=—989.2KJ.mol-1 氧氧双键键能为498.8kj.mol-1,圭 在一定条件下，CO和CH4燃烧的热化学方程式为:CO（g）+1/2O2=CO2（g）；△H=-283KJ/mol 葡萄糖燃烧的热化学方程式为：C6H12O6（S）+6O2=6H2O（L）+6CO2（g）,ΔH=-2800KJ.mol. 根据热化学方程式：S（s）+O2（g）=SO2（g）△H=-297.23kJ/mol分析下列说法中正确的是（　　） 10．工业上制备纯硅反应的热化学方程式如下：SiCl4(g)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)；△H=+mKJ/ 反应Si+O2=SiO2 Si（s）＋O2（g）=SiO2（s） 怎样计算 该反应的焓变.似乎要考虑Si 和SiO 1、根据热化学反应方程式(标况下)：S(S)+O2(g)=SO2(g) △H= -297.23 KJ/mol