三极管临界饱和时,集电结电压Ucb=0

很简单：查三极管的输入特性曲线从图中得知发射结临界导通时的电压和电流,然后偏置电压减去发射结临界导通电压就得偏置电阻上的电压,同时又知基极电流,一除就知道三极管临界导通时偏置电阻该取多大了.再问：如何

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.

你很细心,确实你所看的教科书上说的不够准确,对于NPN三极管来说,Ube只要小于发射结的初始导通电压（对于硅管是0.5V~0.6V,对于锗管是0.2V）三极管就会处于截止区,这时候Ubc0.3V时,处

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

①发射区的电子向基区运动           如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问：但书上写着Ub

追问：不能一个PN节相当于一个二极管（举例:肖特基的0.3v左右其他的0.7-1.3那样）没有电势差PN结不能正偏!基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小放大倍数90-120倍那样.饱和理当基极

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

根据我多年运用TIP31C的经验,这跟你饱和状态下的电流有关.基极电流要大于集电极电流除以放大倍数.将我用的数给你参考：12V电压200mA以下电流2K,24V电压200mA以下电流5.1K再问：TI

楼里两位网友的答案互有错对,正确的是：b图、Ib=(12V-0.7V)/300KΩ=0.0377mA,若三极管处于线性放大状态,Ic=β*Ib=50*0.0377mA=1.88mA,Vce=12V-3

（b）,导通.（c）截止（发射结反偏）

设发射极电位为u,则有(12-0.7-U)*101/500000=U/1000,解得U=1.899,可得IE=0.001899A,所以集电极电阻上压降约为3000*0.001899=5.7V,所以集电

饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为

三极管工作在饱和态时,发射结正偏,集电极正偏.以NPN三极管为例,饱和态时,发射结正偏,使发射区的多数载流子自由电子越过发射结,部分与基区的空穴复合形成基极电流IB,而集电极正偏,使集电区的多数载流子

正向偏置电压集电极反向偏置

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既