上的单个晶体半导体薄膜的生长就是

射进SiO2波长变了然后是八次相消的长度3.42-1.5,差再除以8,应该是这样再问：求过程~~

晶体颗粒其实就是原子（或离子,分子）直接构成的一个完整晶体,是整块多晶体的组成部分.比如你做了很多正方体框架,每个正方体框架由8个小球相连接而构成,再把这些正方体框架全部堆在一起（随你怎么堆,像堆垃圾

在固体培养基上长成菌落,在液体培养基上形成菌悬液.

光在传播过程中,遇到界面反射和折射.折射的那部分再前进遇到膜的后表面（膜和空气的界面）又发生反射和折射,所以从后面膜上反射回来的光与前表面反射的光在传播过程中相遇,叠加,形成干涉条纹.2被膜的厚度为光

晶向有[111]、[100]等无限多个.可以采用光学方法（观察反射光斑的情况）来简单地确定.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

一、增透膜与高反膜薄膜干涉使用扩展光源,虽然相干性不好,但因能在明亮环境观察,所以实用价值高.利用上述原理可以测定薄膜的厚度e或光波波长l.在光学器件上镀上一层厚度为d的薄膜,使强度相等的两束反射光（

Al2O3

⒈除了"单个细菌生长是种群,而细菌群体生长组成的是群落"外⒉细菌群体在生长时一般会互相提供一种营养物质,促进相互之间的生长速度和分裂的速率,而单个细菌则比较慢些其实你可以上天河部落找一个资料或问人,那

本征半导体是完全不含杂质、晶格完整的单晶体n型半导体是指以电子为多数载流子的掺杂半导体PN结的_半导体是二极管--》读不通正常工作时工作在反向击穿状态的二极管通常是稳压二极管整流电路是二极管实际应用电

晶体的生长速度慢于形成速度,则得到粗大而均匀的晶体.怎么说呢,晶体的大小取决于形核的数目和长大速度,也就是这里的生长速度,那么,就是还有两个概念是形核率（单位时间,单位体积内形成的晶核的数目,用N表示

所谓的薄膜干涉就是说当薄膜的厚度等于光的波长的时候,该光在薄膜的表面和里面的反射光形成叠加效果发生干涉,紫色光的波长是所有的可见光中最短的,所以薄膜的要求厚度也是最小.

如果是单色光源,条纹是间隔着的光线,如果是太阳光光源,条纹是彩色的线再问：酒精灯心上撒有盐。条纹是横的还是斜的？再答：横着的。与撒没撒盐没关系的，盐水NaCl,就是利用钠离子的，条纹的横斜是与薄膜有关

解题思路：根据物质的性质分析解题过程：varSWOC={};SWOC.tip=false;try{SWOCX2.OpenFile("http://dayi.prcedu.com/include/rea

解题思路：根据溶液的组成进行分析解题过程：varSWOC={};SWOC.tip=false;try{SWOCX2.OpenFile("http://dayi.prcedu.com/include/r

若实验未开始,在蒸镀的时候,遮上一块硅片,根据探针测试法就可以知道二氧化硅薄膜厚度了.如果已蒸镀,可用氢氟酸和氟化氨溶液将二氧化硅腐蚀,不一定要劈尖状,因为量一下腐蚀彻底的边缘硅片厚度,再与硅片上二氧

应该是光敏半导体会光的敏感性高吧?敏感性高就等于很灵敏.可以发现很细微的光照的变化.

K.M.J代表电容量偏差量K代表容量偏差正负10%M代表偏差正负20%J代表偏差正负5%也就是说比如1000PF的容量,容许误差在1000+1000*10%和1000-1000*10%之间.不同的偏差

绝缘体的禁带宽度较大,价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子,故电导率较低；导体的禁带宽度较小,价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子,同时在价带顶形成空穴,故电导率较高；半导体禁带宽度介于二者之

测量半导体电阻率的方法很多,按是否与样品接触可以分为两类,即接触式和非接触式.常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-

竖直放置的薄膜收到重力的作用,下面厚、上面薄,因此在膜上的不同位置,来自前后两个面的反射光的路程差不同.在某些位置,这两列波叠加后相互加强,出现了亮条纹;在另一些位置,叠加后相互削弱,出现了暗条纹.高