在光线作用下,半导体电导率增加的现象属于

图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p）,一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为

没有半导体你就提不了这个问了在半导体中杂质半导体中的杂质对电阻率的影响非常大.半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.例如四价元素锗或硅晶体

我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4（万分之一）,则杂质原子浓度为10^18cm^-3.在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带

1,理想的灯光照明儿童在过强,或过暗灯光下看书,都对眼睛不好.理想的照明应是这样的：（1）台灯位置：儿童阅读写字时,台灯要在书桌的左前方,以免右手挡住光线.（2）台灯式样：台灯样式最好选用光线不直接照

以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件.非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序,但是仍具有单晶体的微观结构,因此具有许多特殊的性质.1975年,英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜

温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降,影响电导率.（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）光照激发则是产生光生非平衡载流子,改变载流子浓度产生附加电导（但其迁移率基本不变）.

食用菌不含叶绿素,不像绿色植物那样,不能利用阳光进行光合作用将二氧化碳和水合成有机物.因此食用菌不需要直射光,而需要一定的散射光.（1）菌丝生长阶段：几乎所有食用菌菌丝都能在黑暗条件下正常生长,多数食

缓冲层是用来匹配晶格的,有源层是用来发光的

1、你说的外力是指合外力,在这种情况下,原来做加速运动,说明合外力的方向和速度方向相同.2、当这个合外力F减小时,它的方向仍然和速度方向相同,速度仍然增加.合外力依然做正功,所以动能仍然增加.

1.半导体的定义?当电流通过各种物体时,不同的物体对电流的通过有着不同的阻止能力,有的物体可使电流顺利通过,也有的物体不让其通过,或者在一定的阻力下让它通过.这种不同的物体通过电流的能力,叫做这种物体

小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度,比如n型半导体,如果满足△n和△p远小于平衡电子浓度（n0）就属于小注入.p型就是远小于平衡空穴浓度（p0）

好像是0.028西门子/米

如果想了解这些知识首先要知道半导体制造中最重要的最基础的是PN结,晶体管、MOS管都是以此为基础制造出来的.而p作为掺杂剂,用于形成n型半导体.二氧化硅主要是做掩蔽膜.氮化硅本身就是半导体,既可以做掩

二极管有单向导电性,同时在正反向工作区和击穿区还有一些电气特性.主要功能：1、整流（整流二极管,比如1N4001-1N4007系列）2、检波（AM接收机内）3、限幅或者钳位（运放输出端经常可以见到）4

SiC材料是一种疏松多孔的材料,很容易储藏一层水汽等,如果有水汽的话,你的drivein和diffusion就难以控制了.当应用于高温drivein和LPCVDPoly等工艺时,SiC材质还需要CVD

没有半导体你就提不了这个问了在半导体中杂质半导体中的杂质对电阻率的影响非常大.半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.例如四价元素锗或硅晶体

金属引线框架,简称框架,英文leadframe.将芯片焊接在框架上,再将芯片的功能区用金线或铜线连接到框架上形成回路.

1)本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体.绝对零度时价带被价电子填满,导带是空的.2)随着温度的升高,本征载流子浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作.而对于掺杂半导体,室温附近载流子主

什么样品?光照会使半导体中形成非平衡载流子,载流子浓度增大必使样品电导率增大,由光照引起的半导体电导率增加的效应称为光电导

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入