大师作文网杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用
来源：学生作业帮 编辑：大师作文网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/11/10 01:53:38
杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用
何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料.
何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料.
1) 本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体.绝对零度时价带被价电子填满,导带是空的.
2) 随着温度的升高,本征载流子浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作.而对于掺杂半导体,室温附近载流子主要来源于杂质电离,在杂质全部电离的情况下,载流子浓度一定,器件就能稳定工作.所以,制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料,而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度,超过这一温度后,器件就会失效.
3) 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用：是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变.
希望能够帮到你,谢谢o(∩_∩)o
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2) 随着温度的升高,本征载流子浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作.而对于掺杂半导体,室温附近载流子主要来源于杂质电离,在杂质全部电离的情况下,载流子浓度一定,器件就能稳定工作.所以,制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料,而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度,超过这一温度后,器件就会失效.
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