NPN 型锗管基极比发射极高多少电位

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

是开关作用.当38KHZ的频率信号输入三极管的基极时,如果信号为高电平,则基极导通,进而三极管导通,集电极变为低电平,红外二极管工作.当信号为低电平时,基极不导通,三极管截止,集电极和发射极不导通,则

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

说的很对.

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

aa大概就是酱紫

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→Rb→b→e→地；IC：VCC→Rc→c→e→地；IE=IB+

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

二极管有发射极和基极?

这个问题与具体的三极管型号和电源电压有关.假定采用9013三极管,其Vbe饱和电压为1.2V,又假定你采用5V直流供电,集电极-基极间的偏置电阻假定采用1K,则计算如下:R(饱和导通时的基极偏置电阻)

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

不能直接取代.再问：那基极的电流为什么前面有个负号呢？是PNP管的原因吗？再答：PNP三极管发射极和集电极导通是需要在基极和发射极加-0.7v电压，即发射极电压要比基极高0.7V，而NPN三极管集电极

不可以的.哪有这么高的电压加到三极管再问：为什么，有什么文档可以说明一下吗？再答：三极管本身就是两个PN结。PN结的电压是非常低的再问：1N4007也是PN结啊，也可以加在220V交流上用作整流啊。再

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

是基极和发射极正偏,不过也不用0.7V,硅管0.5几,锗管大概0.2多久导通了,前提是集电极和发射极也是正偏.基极电流是流向发射极或者从发射极流出.

三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?回答肯定是高电位1发射结反偏,集电结反偏：管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压；2发射结正偏,集电结反偏：当Vbe0.5v,管子开始导通,进

红外发光二极管工作时需要提供的电流比较大,而遥控器装置（发射装置）中的IC提供的驱动电流一般都比较小,达不到红外发光二极管工作所需要的电流,所以用一个三极管来作驱动,实际上就是利用三极管的电流放大作用