三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/11/11 04:08:31
三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?
三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?
回答肯定是高电位
1发射结反偏,集电结反偏:管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压;
2发射结正偏,集电结反偏:当Vbe0.5v, 管子开始导通,进入放大状态,集电极电位随着导通程度加大而开始下降;
4当Vbe>0.7v, 管子进入饱和状态,集电结正偏,Vce
再问: 你说发射结正偏,集电结反偏:当Vbe>0.5v, 管子开始导通,进入放大状态,集电极电位随着导通程度加大而开始下降;它导通了的时候,电位不是下降了吗?怎么还是高电位?
再答: 高电位,低电位,是相对而言,指相对于地,将管子导通时集电极电位称为低电位,则高于这个值,都称为高电位,也就是说同是高电位,但电压的具体值则不同,即不一定非得等于电源电压才叫高电位。
再问: 如果我要将它经过发射结后的电位当作可控硅的控制端的高电位,可控硅阳极接电源正极,阴极接电源负极,它电位够不够高?
再答: 不知可控硅控制电压多高?前面的控制电路应该工作在开关状态,工作在开关状态的高电位一般都近似等于电源电压,输出的电压若高于控制电压可采取分压处理,或降低控制级电源电压。
回答肯定是高电位
1发射结反偏,集电结反偏:管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压;
2发射结正偏,集电结反偏:当Vbe0.5v, 管子开始导通,进入放大状态,集电极电位随着导通程度加大而开始下降;
4当Vbe>0.7v, 管子进入饱和状态,集电结正偏,Vce
再问: 你说发射结正偏,集电结反偏:当Vbe>0.5v, 管子开始导通,进入放大状态,集电极电位随着导通程度加大而开始下降;它导通了的时候,电位不是下降了吗?怎么还是高电位?
再答: 高电位,低电位,是相对而言,指相对于地,将管子导通时集电极电位称为低电位,则高于这个值,都称为高电位,也就是说同是高电位,但电压的具体值则不同,即不一定非得等于电源电压才叫高电位。
再问: 如果我要将它经过发射结后的电位当作可控硅的控制端的高电位,可控硅阳极接电源正极,阴极接电源负极,它电位够不够高?
再答: 不知可控硅控制电压多高?前面的控制电路应该工作在开关状态,工作在开关状态的高电位一般都近似等于电源电压,输出的电压若高于控制电压可采取分压处理,或降低控制级电源电压。
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