设电流密度为J,流经各向同性的电介质,时间t后,贮存的电荷密度是多少?
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:英语作业 时间:2024/11/11 21:59:09
设电流密度为J,流经各向同性的电介质,时间t后,贮存的电荷密度是多少?
如题,今天看到一篇文献,里面提到:
When a constant current density J flows uniformly through a homogeneous dielectric for a length of time t, the total charge per unit area that has passed through the dielectric is J × t. The charge per unit area stored internally:Q=n×J×t, where n is defined as the trapping fraction.
这里我有个疑问,假如 t 是无限大,Q 也会是无限大么?显然实际中不会存在这种情况,到底该怎么理解呢?求帮助,悬赏分数不多,多多担待!
如题,今天看到一篇文献,里面提到:
When a constant current density J flows uniformly through a homogeneous dielectric for a length of time t, the total charge per unit area that has passed through the dielectric is J × t. The charge per unit area stored internally:Q=n×J×t, where n is defined as the trapping fraction.
这里我有个疑问,假如 t 是无限大,Q 也会是无限大么?显然实际中不会存在这种情况,到底该怎么理解呢?求帮助,悬赏分数不多,多多担待!
可以这样理当时间比较长的时候,要想维持当初的电流密度J就很困难了.因为经过一段时间后电介质上会储存越来越多的电荷,电势也越来越大,如果传输电流的介质电阻一定,电流密度不变也就是电势差不变,这就意味着外界提供的电势越来越高.时间无穷大时实际的电流密度会无穷小所以Q不会无穷大的. 再答: 首先dielectric是电介质的意思,就是非导体可以理解为一个电容可以存储电荷,但当电压高到一定程度是会击穿,文章中说的enough time并不是趋于无穷的。
并且文中举例silicon nitride(氮化硅)的击穿是的场强为10^7V/cm。
关于(3)式所说的是达到临界critical击穿是所需传输的电荷即Q=ηJT(根据电流的定义),其中T是从B到D两个时刻的时间差,η可以理解为一个无量纲数用来修正的,J是恒定的电流密度。
最近有点忙没来及看,多包涵。
再问: 没有关系,有问题还会麻烦您的,多谢啊!
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再答: 不客气,采纳会有5财富值的哦
并且文中举例silicon nitride(氮化硅)的击穿是的场强为10^7V/cm。
关于(3)式所说的是达到临界critical击穿是所需传输的电荷即Q=ηJT(根据电流的定义),其中T是从B到D两个时刻的时间差,η可以理解为一个无量纲数用来修正的,J是恒定的电流密度。
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